功率金氧半导体场效晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种功率金氧半导体场效晶体管，有有源区、栅极母线区以及终端区，其包含基板、导电沟渠、阱区与介电层。所述功率金氧半导体场效晶体管还具有至少一终端结构，其包括至少一个导电沟渠、多个位于终端区内并借助于导电沟渠互相电性隔离的阱区、一场效电板、一接触栓塞及一重掺杂区。由电板金属与介电层构成的场效电板配置在终端区内的导电沟渠与阱区上。而接触栓塞穿过介电层连接电板金属与一个阱区，使电板金属通过接触栓塞而与阱区等电位。阱区与导电沟渠借助于上述介电层而与电板金属电性耦合。重掺杂区则介于接触栓塞与被连接的阱区之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种功率金氧半导体场效晶体管(Power M0SFET)，且特别是有关于一种能提升击穿电压(breakdown voltage)的功率金氧半导体场效晶体管。
技术介绍
功率金氧半导体场效晶体管主要是应用在切换(power switch)元件，如各项电源管理装置中提供电源开关切换之用。一般而言，功率金氧半导体场效晶体管的终端区100为了维持元件周围终端的崩溃击穿电压，会在终端区内设置多个浮置的沟渠式导电环102，如图I所示，美国专利US6462379和美国专利公开号US2008/0179662都有类似公开。不过随着功率金氧半导体场效晶体管的积集度的日益提升，功率金氧半导体场效晶体管的尺寸亦随之缩小。因此，如何在元件缩小的情形下，维持甚至是提升原本的崩溃击穿电压，已成为业者极为重视的议题之一。
技术实现思路
本技术提供一种功率金氧半导体场效晶体管，能提升击穿电压。本技术另提供一种功率金氧半导体场效晶体管，能缩减元件中终端区的面积。本技术提出一种功率金氧半导体场效晶体管，具有一有源区、一栅极母线(gate bus)区以及一终端区。这种功率金氧半导体场效晶体管包括一基板、位于基板中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，具有一有源区、一栅极母线区以及一终端区，包括：一基板；多个导电沟渠，位于该基板中；多个阱区，配置在该基板内；以及一介电层，配置在该些导电沟渠的表面，所述功率金氧半导体场效晶体管还包括：至少一终端结构，该至少一终端结构包括：至少一个所述导电沟渠；多个所述阱区，配置在该终端区内并借助于该些导电沟渠互相电性隔离；一场效电板，配置在该终端区内的所述导电沟渠与所述阱区上，其中该场效电板是由一电板金属与该介电层所构成；一接触栓塞，穿过该介电层连接该电板金属与该些阱区其中之一，使该电板金属通过该接触栓塞而与被连接的该阱区等电位，而该些阱区与该些导电沟渠借助于该介电层...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘莒光，
申请(专利权)人：杰力科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：