基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，基于SOI衬底片结合深沟槽的全介质隔离技术，能够彻底消除以往体硅电路中存在的寄生闩锁效应。采用双栅氧工艺流程制备的厚栅氧的高压MOS管，可靠性好，开启电压得到提高。所述高压MOS管的漏区结构中形成漏区结终端扩展技术，所述高压MOS管的源区结构中形成了源区结终端扩展技术，用于调节器件的阈值电压，具有双层作用。源区结终端扩展技术和漏区结终端扩展技术一起组合使用，形成了双区结终端扩展技术，进一步提高器件耐压，从而减小器件尺寸，缩小版图面积，提升芯片的集成度。源区结构在多晶场板上方位置设有铝场板，与源极短接，可以提高器件的耐压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管。
技术介绍
绝缘衬底上娃(SOI :Silicon On Insulator)技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅技术不可比拟的优越性。SOI的金属氧化物管(M0S管)具有功耗低、抗干扰能力强、集成密度高，速度高(寄生电容小)、工艺简单、抗辐射能力强，并彻底消除了体硅MOS器件的寄生闩锁效应等优点。金属氧化物半导体功率集成器件具有开关特性好、功耗小等优点，并且在10-600V的应用范围内金属氧化物半导体功率器件具有较大优势。因此，把常规 体硅工艺的金属氧化物半导体功率器件制备到SOI衬底上，集两者的优点于一体，完全消除了集成电路中的闩锁效应，整体电路其它各方面性能也得到了进一步提升。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种高性能的基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管。为解决上述问题，本技术提供一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，包括，一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，包括，SOI衬底；深沟槽，设置于所述SOI衬底中；漏区结构，设置于所述SOI衬底中，所述漏区结构由外向内包括漏区第二类型缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，包括，SOI衬底；深沟槽，设置于所述SOI衬底中；漏区结构，设置于所述SOI衬底中，所述漏区结构由外向内包括漏区第二类型缓冲区以及浓度依次递增的漏区第一类型阱、漏区第一类型缓冲区和漏区第一类型浓注入区，所述漏区第一类型浓注入区作为漏电极；源区结构，设置于所述SOI衬底中，包括源区第二类型阱、位于源区第二类型阱中的源区第二类型缓冲区、位于所述源区第二类型缓冲区中的源区第一类型阱和相邻设置的源区第一类型浓注入区与源区第二类型浓注入区，源区第一类型阱与所述源区第一类型浓注入区相连，所述源区第一类型浓注入区和源区第二类型浓注入区共同作为源电极；场氧，设置于所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞国强，张邵华，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：