硅基石墨烯场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件领域，特别涉及硅基石墨烯晶体管。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由单层或数层(低于100层)碳原子组成的薄片，这样的二维石墨薄片被证实有许多超强属性，如它的电子在亚微米距离中以弹道方式输运，不会有任何的散射，具有非常吸引人的导电能力，这为制造超性能晶体管提供了条件。石墨烯晶体管可以在室温下工作，有预言石墨烯薄膜可能最终替代硅，因为石墨烯晶体管比硅管更高效，更快而耗能更低。石墨烯给半导体行业带来了一个新的机遇，当未来65nm、45nm甚至32nm的硅制程不能满足半导体工业需求的时候，或许就应该由石墨烯来替代它。
技术实现思路
本技术提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括栅电极、低阻硅层、栅极电介质层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。所述低阻硅层的电阻率为0.01-10 Q Cm，或者掺杂浓度为lE18-lE20/cm3。由此，本技术实现了比硅晶体管更高效、更快而耗能更低的石墨烯晶体管。可选地，所述低阻硅层是p型或n型的。可选地，所述低阻硅层由具有(111)或(100)或(110)晶面的硅衬底构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极电介质层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：况维维，刘兴舫，唐治，陈中，
申请(专利权)人：北京中瑞经纬科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：