半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明专利技术的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明专利技术先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种被STI包围的Ge膜作为沟道的。
技术介绍
随着半导体器件尺寸持续缩小，增强沟道载流子的迁移率成为非常重要的技术。在衬底应力层的设计中不同的材料的特性不同，例如晶格常数、介电常数、禁带宽度、特别是载流子迁移率等等，如下表I所不。表I权利要求1.一种半导体器件，包括衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的有源区层，其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。2.如权利要求I所述的半导体器件，其中，所述衬底为硅，所述有源区层为外延生长的锗、GaAs、InAs> InSb或SiGe,所述绝缘隔离层为氧化娃。3.如权利要求I所述的半导体器件，其中，所述有源区层上形成有栅极绝缘层和栅极材料层构成的栅极堆叠，所述栅极堆叠两侧的有源区层内形成有源漏区，所述源漏区上形成有源漏接触。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述栅极材料层为多晶硅、金属、金属氮化物及其组合。5.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述栅极绝缘层为高k材料，且所述栅极绝缘层不含所述衬底和/或所述有源区层的氧化物。6.如权利要求I所述的半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的有源区层，其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，李春龙，赵超，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：