【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体功率器件
，涉及受可动离子沾污影响的硅制高压功率器件，特别适用于娃制超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管(SuperjunctionVDMOS,即超结VDM0S，一下均简写为超结VDM0S)，更具体的说，涉及ー种在高温反偏条件下具有高可靠性的硅制超结VDMOS的终端结构。
技术介绍
目前，功率器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛，特别是功率金属氧化物半导体场效应晶体管，由于它们拥有较快的开关速度、较小的驱动电流、较宽的安全工作区，因此受到了众多研究者们的青睐。如今，功率器件正向着提高工作电压、増加工作电流、 减小导通电阻和集成化的方向发展。超结的技术是功率金属氧化物半导体场效应晶体管技术上的ー个里程碑。功率器件不仅在国防、航天、航空等尖端
倍受青睐，在エ业，民用家电等领域也同样为人们所重视。随着功率器件的日益发展，其可靠性也已经成为人们普遍关注的焦点。功率器件为电子设备提供所需形式的电源和电机设备提供驱动，几乎一切电子设备和电机设备都需用到功率器件，所以对器件可靠性的研究有着至关重要的意义。可靠性的定义是产品在规定的条件下和规定...
【技术保护点】
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(1)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区(4)，在P型掺杂柱状半导体区(4)上设有第一P型掺杂半导体区(5)，且第一P型掺杂半导体区(5)位于N型掺杂外延层(3)内，在第一P型掺杂半导体区(5)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(7)和N型重掺杂半导体源区(6)，在N型掺杂硅外延层(3)的上方设有栅氧化层(8)且栅氧化层(8)位于相邻P型掺杂柱状半导体区(4)之间的...
【技术特征摘要】
1.ー种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(I)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区(4)，在P型掺杂柱状半导体区(4)上设有第一 P型掺杂半导体区(5)，且第一P型掺杂半导体区(5)位于N型掺杂外延层(3)内，在第一 P型掺杂半导体区(5)中设有第二 P型重掺杂半导体接触区(7)和N型重掺杂半导体源区￠)，在N型掺杂硅外延层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，祝靖，吴逸凡，钱钦松，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。