栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和源场板；还包括栅漏区凹槽，所述栅漏区凹槽是在栅漏区沿栅极边缘、而在势垒层上刻蚀形成的沟槽；所述沟槽沿栅宽方向。本实用新型专利技术的栅边缘凹槽型源场板结构HEMT与传统源场板结构HEMT相比，减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，因此能降低栅极靠近漏极一侧的电场，从而可显著提高HEMT器件的击穿电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高电子迁移率晶体管(High Electron MobilityTransistor, HEMT)，特别涉及一种在栅漏区栅极边缘形成沟槽的栅边缘凹槽型源场板结构的高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管可作为微波、毫米波通讯系统以及雷达系统的基本器件，属于半导体器件领域。技术背景在化合物半导体电子器件中，高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的电子器件。这种电子器件依靠半导体异质结中具有量子效应的ニ维电子气(2DEG)形成导电沟道，2DEG的密度、迁移率和饱和速度等决定了该器件的电流处理能力。与第2代半导体材料神化镓(GaAs)相比，III族氮化物材料(GaN，AIN, InN)中第三代半导体材料氮化镓(GaN)在材料性质方面具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、热导率高、抗辐照能力强等优势，因此GaN HEMT的高频、耐压、耐高温、耐恶劣环境的能力很强；而且III族氮化物材料(GaN，AIN, InN)具有很强的自发和压电极化效应，可显著提高HEMT材料结构中2DEG的密度。基于III族氮化物材料(GaN，AIN, InN)的HEM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，包括衬底层（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、源极（4）、栅极（5）、漏极（6）、钝化层（7）和源场板（8）；其特征在于还包括栅漏区的凹槽（9），所述栅漏区凹槽（9）是在栅漏区沿栅极（5）边缘、而在势垒层（3）上刻蚀形成的沟槽，所述沟槽沿栅宽方向。

【技术特征摘要】
1.一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，包括衬底层(I)、缓冲层(2)、势垒层(3)、源极(4)、栅极(5)、漏极(6)、钝化层(7)和源场板(8);其特征在于还包括栅漏区的凹槽(9)，所述栅漏区凹槽(9)是在栅漏区沿栅极(5)边缘、而在势垒层(3)上刻蚀形成的沟槽，所述沟槽沿栅宽方向。2.根据权利要求I所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽(9)的一个侧壁与漏极一侧的栅极边缘对齐，另一个侧壁位于栅极与漏极之间的势垒层中。3.根据权利要求I或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽(9...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐跃杭，付文丽，延波，国云川，徐锐敏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：