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一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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