【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体功率器件
，涉及快速开关的硅制高压功率器件，特别适用于娃制超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管(SuperjunctionVDMOS,即超结VDM0S，一下均简写为超结VDM0S)，更具体的说，涉及一种可以快速开关、超低损耗的硅制超结VDMOS的结构。
技术介绍
目前，功率器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛，特别是功率金属氧化物半导体场效应晶体管，由于它们拥有较快的开关速度、较小的驱动电流、较宽的安全工作区，因此受到了众多研究者们的青睐。如今，功率器件正向着提高工作电压、增加工作电流、减小导通电阻、加快开关速度和集成化的方向发展。在众多的功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件中，尤其是在纵向功率金属氧化物半导体场效应晶体管中，超结半导体功率器件的技术，它克服传统功率金属氧化物半导体场效应管导通电阻与击穿电压之间的 矛盾，改变了传统功率器件依靠漂移层耐压的结构，而是采用了一种“超结结构”——P型、N型硅半导体材料在漂移区相互交替排列的形式。这种结构改善了击穿电压和导通电阻不易同时兼顾的情况，在截止态时，由于P型柱和N型柱中的耗尽区电场产...
【技术保护点】
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、超结结构(3)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，超结结构(3)设在N型硅掺杂半导体区(2)上，所述的超结结构(3)由相互间隔的P型柱(4)和N型柱(5)组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区(6)，且第一P型掺杂半导体区(6)位于N型掺杂外延层(2)内，在第一P型掺杂半导体区(6)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(13)和N型重掺杂半导体源区(12)，在N型柱(5)上设有栅氧化层(8)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在多晶硅栅(...
【技术特征摘要】
1.ー种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括兼做漏区的N型掺杂娃衬底(I)、N型掺杂娃外延层(2)、超结结构(3),所述的N型掺杂娃外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(I)上，超结结构(3)设在N型硅掺杂半导体区(2)上，所述的超结结构(3)由相互间隔的P型柱(4)和N型柱(5)组成，在P型柱上有第一 P型掺杂半导体区￠)，且第一 P型掺杂半导体区(6)位于N型掺杂外延层(2)内，在第一 P型掺杂半导体区(6)中设有第二 P型重掺杂半导体接触区(13)和N型重掺杂半导体源区(12)，在N型柱(5)上设有栅氧化层(8)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在多晶硅栅(9)...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，祝靖，张龙，杨卓，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：
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