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本实用新型提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。...
该专利属于北京中瑞经纬科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中瑞经纬科技有限公司授权不得商用。

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