半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

碳化硅衬底(SB)具有衬底表面(12B)。栅绝缘膜(15)以覆盖所述衬底表面(12B)的一部分的方式设置。栅极(17)覆盖所述栅绝缘膜(15)的一部分。接触电极(16)设置在所述衬底表面(12B)上、邻近所述栅绝缘膜(15)并与所述栅绝缘膜(15)接触、且包含具有Al原子的合金。Al原子不从所述接触电极(16)扩散到所述栅绝缘膜(15)的夹在所述衬底表面(12B)和所述栅极(17)之间的部分中。由此，在使用具有Al原子的接触电极的情况下，可提高半导体装置的栅绝缘膜(15)的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更特别地涉及具有碳化硅衬底的。
技术介绍
国际公开第2009/128419号(专利文献I)公开了包含钛(Ti)和铝(Al)的材料作为以与SiC晶片(碳化硅衬底)接触的方式设置的欧姆接触电极的材料。根据该公报，通过应用上述材料，可降低与SiC晶片的接触电阻。现有技术文献专利文献 专利文献I :国际公开第2009/128419号
技术实现思路
技术问题在以与栅绝缘膜接触的方式设置具有Al原子的接触电极的情况下，在退火处理期间，接触电极中的Al原子可能扩散到栅绝缘膜中，这可能导致栅极和碳化硅衬底之间的电绝缘的可靠性降低。于是，本专利技术的目的是提供一种，其中，在使用具有Al原子的接触电极的情况下，所述半导体装置能够提高半导体装置的栅绝缘膜的可靠性。技术方案根据本专利技术的半导体装置包含碳化硅衬底、栅绝缘膜、栅极和接触电极。碳化硅衬底具有衬底表面。栅绝缘膜以覆盖衬底表面的一部分的方式设置。栅极覆盖栅绝缘膜的一部分。接触电极设置在衬底表面上、邻近栅绝缘膜并与栅绝缘膜接触、且包含具有Al原子的合金。Al原子不从接触电极扩散到栅绝缘膜的夹在衬底表面和栅极之间的部分中。根据该半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.01 JP 2010-2451501.一种半导体装置，所述半导体装置包含 碳化硅衬底(SB)，所述碳化硅衬底(SB)具有衬底表面(12B)； 栅绝缘膜(15)，所述栅绝缘膜(15)以覆盖所述衬底表面的一部分的方式设置； 栅极(17)，所述栅极(17)覆盖所述栅绝缘膜的一部分；和 接触电极(16)，所述接触电极(16)设置在所述衬底表面上、邻近所述栅绝缘膜并与所述栅绝缘膜接触、且包含具有Al原子的合金， 其中Al原子不从所述接触电极扩散到所述栅绝缘膜的夹在所述衬底表面和所述栅极之间的部分中。2.根据权利要求I所述的半导体装置，其中 所述栅绝缘膜包含氧化硅。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中 所述氧化硅包括二氧化硅。4.根据权利要求I所述的半导体装置，其中 所述接触电极具有Ti原子。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：玉祖秀人，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：