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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:8134036
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碳化硅衬底(SB)具有衬底表面(12B)。栅绝缘膜(15)以覆盖所述衬底表面(12B)的一部分的方式设置。栅极(17)覆盖所述栅绝缘膜(15)的一部分。接触电极(16)设置在所述衬底表面(12B)上、邻近所述栅绝缘膜(15)并与所述栅绝缘膜...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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