半导体装置制造方法及图纸

氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型（本征）的氧化物半导体膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。在本说明书中，半导体装置指的是能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，而且电光装置、半导体电路及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管的技术已受到关注。该晶体管被广泛地应用于电子器件，诸如集成电路(IC)和图像显示装置(显示装置)。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅基半导体材料已被广泛使用，但是作为其他材料，氧化物半导体已受到关注。 例如，公开了一种晶体管，其有源层使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)且电子载流子浓度低于IO1Vcm3的非晶氧化物来形成(参见专利文献I)。虽然包括氧化物半导体的晶体管可以比包括非晶硅的晶体管更高的速度进行工作，且与包括多晶硅的晶体管相比更容易制造，但是，已知包括氧化物半导体的晶体管具有因电特性容易变化而导致其可靠性低的问题。例如，在光下执行的BT测试之后，晶体管的阈值电压发生波动。另一方面，专利文献2及专利文献3中各自公开了一种技术，其中为了抑制包括氧化物半导体的晶体管的阈值电压移动，利用设置在氧化物半导体层的顶表面及底表面中的至少一个面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.02 JP 2010-0863971.一种半导体装置，包括 栅电极； 覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上的第一金属氧化物膜； 与所述第一金属氧化物膜接触且与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜； 与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极； 在所述氧化物半导体膜上且与该氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；以及 在所述第二金属氧化物膜上的绝缘膜。2.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜的顶表面的至少一部分与所述源电极及所述漏电极接触。3.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，至少所述源电极的顶表面的一部分和所述漏电极的顶表面的一部分与所述氧化物半导体膜接触。4.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜的顶表面的至少一部分与所述源电极及所述漏电极接触，并且其中，沟道长度方向上的所述氧化物半导体膜的侧边缘与沟道长度方向上的所述第一金属氧化物膜的侧边缘对准。5.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第ニ金属氧化物膜都包含选自所述氧化物半导体膜的构成元素中的ー种或多种金属元素的氧化物。6.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第ニ金属氧化物膜都具有比所述氧化物半导体膜更大的能隙。7.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的导带底部的能量及所述第二金属氧化物膜的导带底部的能量都高于所述氧化物半导体膜的导带底部的能量。8.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第ニ金属氧化物膜都包含氧化镓。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的构成元素的比例和所述第二金属氧化物膜的构成元素的比例相等。10.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，在所述绝缘膜上设置导电膜。11.一种半导体装置，包括 栅电极； 覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上的第一金属氧化物膜； 与所述第一金属氧化物膜接触且与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜； 与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极； 在所述氧化物半导体膜上且与该氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；以及 在所述第二金属氧化物膜上的绝缘膜， 其中，以覆盖所述源电极及所述漏电极且与所述第一金属氧化物膜接触的方式设置所述第二金属氧化物膜。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜被所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜围绕。13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：