【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含驱动器电路的半导体显示装置。
技术介绍
在像素部分中设置有包含非晶硅的晶体管的半导体显示装置具有高生产率和低成本的优点，因为该半导体显示装置可应用于第五代(1200mm长X 1300mm宽)或更高代的玻璃基板。此外，在该半导体显示装置中，需要诸如用于选择像素的扫描线驱动器电路或用于将视频信号提供到所选像素的信号线驱动器电路的驱动器电路以进行高速操作。此外，该驱动器电路是使用诸如单晶硅的晶体硅形成的，该晶体硅具有比非晶硅高的迁移率。通常，使用单晶硅晶片等形成的包含驱动器电路的IC芯片被安装在通过带式自动接合(TAB)方法、玻璃上芯片(COG)方法等使用非晶硅形成的像素部分的外围中。下文中引用的专利文献I公开了一种技术，通过该技术，使用硅以IC芯片的形式形成的驱动器电路被安装在面板上。专利文献2公开了一种技术，其中，在玻璃基板上形成的驱动器电路被分成薄的矩形形状并安装在设置有像素部分的基板上。[参考][专利文献][专利文献I]日本公开专利申请No.2007-286119[专利文献2]日本公开专利申请Νο·Η7-014880
技术实现思路
要求诸如信号线...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.31 JP 2010-0806611.一种半导体显示装置，包括 像素部分；以及 信号线驱动器电路，该信号线驱动器电路包括第一电路、第二电路和第三电路， 其中，第一电路被配置成对串行视频信号进行采样并把串行视频信号转换为并行视频信号， 其中，第二电路被配置成控制被第一电路采样的串行视频信号的定时， 其中，第三电路被配置成对并行视频信号执行信号处理， 其中，第二电路包括在第一基板上形成的第一半导体元件，该第一半导体元件包括第一半导体层， 其中，第三电路包括在第二基板上形成的第二半导体元件，该第二半导体元件包括第二半导体层， 其中，像素部分包括在第二基板上形成的第三半导体元件，该第三半导体元件包括第三半导体层， 其中，第一半导体层包含硅或锗，并且 其中，第二半导体层和第三半导体层均具有比第一半导体层宽的带隙。2.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，第一电路包括在第一基板上形成的第四半导体元件，并且 其中，该第四半导体元件包含硅或锗。3.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，第一电路包括在第二基板上形成的第五半导体元件，并且 其中，该第五半导体元件包含半导体。4.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，第二半导体元件的耐受电压比第一半导体元件的耐受电压高大于IOV。5.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，第二半导体元件的耐受电压高于5V且近似小于或等于20V。6.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，第一半导体元件至第三半导体元件均是晶体管。7.根据权利要求I所述的半导体显示装置， 其中，半导体是氧化物半导体。8.根据权利要求7所述的半导体显示装置， 其中，氧化物半导体是基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体。9.一种半导体显示装置，包括 像素部分； 扫描线驱动器电路；以及 信号线驱动器电路，该信号线驱动器电路包括第一电路、第二电路和第三电路， 其中，第一电路被配置成对串行视频信号进行采样并把串行视频信号转换为并行视频信号， 其中，第二电路被配置成控制被第一电路采样的串行视频信号的定时， 其中，第三电路被配置成对并行视频信号执行信号处理，其中，第二电路包括在第一基板上形成的第一半导体元件，该第一半导体元件包括第一半导体层， 其中，第三电路包括在第二基板上形成的第二半导体元件，该第二半导体元件包括第二半导体层， 其中，像素部分包括在第二基板上形成的第三半导体元件，该第三半导体元件包括第三半导体层， 其中，第一半导体层包含硅或锗，并且 其中，第二半导体层和第三半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：
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