【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统。更具体地，本专利技术涉及具有由氧化物半导体形成的有源层的场效应晶体管、具有该场效应晶体管的显示元件和具有该显示元件的图像显示设备、以及具有该图像显示设备的系统。
技术介绍
场效应晶体管(FET)是通过施加电压到栅极来控制源极和漏极之间的电流，以基于沟道的电场提供用于电子或空穴的流动的栅的晶体管。FET已经由于其特性被用作开关元件或放大元件。由于FET示出小的栅电流并具有平坦曲线，因此相比于双极晶体管，其可以容易地制造或集成。因此，在目前的电子设备中使用的集成电路里，FET是不可或缺的元件。 FET已经作为薄膜晶体管(TFT)应用在有源矩阵型显示器中。近些年，液晶显示器、有机EL (电致发光)显示器、电纸书等已经作为平板显示器(FPD)投入实际使用。FPD由包括TFT的驱动器电路驱动，该TFT具有由非晶娃(amorphous silicon)或多晶娃(polycrystalline silicon)形成的有源层。存在FPD实现进一步放大、更高分辨率和更高驱动速度的需求。依据这些要求，已经需求具有更高载...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.16 JP 2010-031610;2011.02.02 JP 2010-021151.一种场效应晶体管,包括 栅极，向其施加栅电压； 源极和漏极，用于响应于所述栅电压获取电流； 有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层由η型氧化物半导体形成；以及 栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供， 其中，所述η型氧化物半导体由η型掺杂化合物形成，所述η型掺杂化合物具有通过弓I入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少ー个获得的晶相的化学成分。2.如权利要求I所述的场效应晶体管， 其中，所述η型氧化物半导体由η型掺杂立方体化合物形成，所述η型掺杂立方体化合物通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少ー个获得。3.如权利要求2所述的场效应晶体管， 其中，所述η型氧化物半导体由AB2O4代表的尖晶石化合物形成，其中，A是包括Mg2+、Zn2+和Cd2+的ー个或多个ニ价阳离子，并且B是包括Al3+、Ga3+和In3+的ー个或多个三价阳离子，并且 其中，由所述尖晶石化合物形成的所述η型掺杂化合物可以通过引入包括Al3+、Ga3+、In3+、Ge4+、Sn4+、Ti4+、Zr4+、Hf4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、Mo6+ 和 W6+ 的一个或多个类型的阳离子来获得。4.如权利要求2所述的场效应晶体管， 其中，所述η型氧化物半导体由A2DO4代表的尖晶石化合物形成，其中，A是包括Mg2+、Zn2+和Cd2+的ー个或多个ニ价阳离子，并且D是包括Ti4+和Sn4+的ー个或多个四价阳离子，并且 其中，由所述尖晶石化合物形成的所述η型掺杂化合物可以通过引入包括Al3+、Ga3+、In3+、Ge4+、Sn4+、Ti4+、Zr4+、Hf4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、Mo6+ 和 W6+ 的一个或多个类型的阳离子来获得。5.如权利要求2所述的场效应晶体管， 其中，所述η型氧化物半导体由红绿柱石化合物形成，所述红绿柱石化合物具有从In3+、Sc3+、Y3+和Ln3+中选择的ー个或多个三价阳离子，其中所述Ln是稀土元素，并且 其中，由所述红绿柱石化合物形成的所述η型掺杂化合物通过引入包括Al3+、Ga3+、In3+、Ge4+、Sn4+、Ti4+、Zr4+、Hf4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、Mo6+ 和 W6+ 的ー个或多个类型的阳离子获得。6.如权利要求I所述的场效应晶体管， 其中，所述η型氧化物半导体由η型掺杂正方晶化合物形成，所述η型掺杂正方晶化合物通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子中的至少ー个来获得。...
【专利技术属性】
技术研发人员：植田尚之，中村有希，曾根雄司，安部由希子，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：
国别省市：
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