有机薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种有机薄膜晶体管，其是至少具有栅电极、源电极、漏电极、绝缘体层及有机半导体层的有机薄膜晶体管，其中，源电极及漏电极中的至少一个由包含(a)通过使M(XCR4(CR52COOR6)COOR7)p所示的有机质子酸或其盐质子化而成的取代或未取代的聚苯胺复合体及(b)具有酚性羟基的化合物的导电性聚苯胺组合物形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机薄膜晶体管。进一步详细而言，涉及源电极及漏电极中的至少一个含有特定的导电性高分子的有机薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)作为液晶显示装置等显示用的开关元件被广泛使用。代表性的TFT在基板上依次具有栅电极、绝缘体层、半导体层，且在半导体层上具有空出规定的间隔而形成的源电极及漏电极。半导体层形成信道区域，且通过以对栅电极施加的电压控制在源电极与漏电极之间流过的电流来进行开/关工作。以往，该TFT的半导体层使用无定型硅或多晶硅来制作，但使用这样的硅的TFT的制作中采用的CVD装置非常昂贵，使用TFT的显示装置等的大型化存在伴随制造成本的大 幅增加的问题。此外，将无定型硅或多晶硅成膜的工艺由于在非常高的温度下进行，所以能够作为基板使用的材料的种类有限，因此存在无法使用轻量的树脂基板等的问题。为了解决这样的问题，提出代替无定型硅或多晶硅而使用有机物的TFT(以下，有时简记为有机TFT。)。作为以有机物形成TFT时使用的成膜方法，已知有真空蒸镀法或涂布法等。根据这些成膜方法，能够在抑制制造成本的上升的同时实现元件的大型化，可以使成膜时所需的工艺温度为比较低的温度。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.22 JP 2010-0984751.一种有机薄膜晶体管，其是至少具有栅电极、源电极、漏电极、绝缘体层及有机半导体层的有机薄膜晶体管，其中， 源电极及漏电极中的至少一个由包含下述成分(a)及(b)的导电性聚苯胺组合物形成， (a)通过使下述式(I)所示的有机质子酸或其盐质子化而成的取代或未取代的聚苯胺复合体M (XCR4 (CR52COOR6) COOR7) p(I) 式中， M为氢原子、或者有机或无机的游离基， X为酸性基， R4及R5分别独立地为氢原子、烃基或R83Si-基，其中，R8为烃基，3个R8可以相同或不同， R6及R7分别独立地为可具有取代基的碳原子数4以上的烃基或-(R9O)q-Rui基，其中，R9为烃基或亚甲硅烷基，R10为氢原子、烃基或R113Si-, R11为烃基，3个R11可以相同或不同，q为I以上的整数， P为M的价数， (b)具有酚性羟基的化合物。2.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管，其中，所述式(I)所示的有机质子酸或其盐为下述式(II)所示的磺基琥珀酸衍生物M (O3SCH (CH2COOR12) COOR13) m(II) 式中， M为氢原子、或者有机或无机的游离基， R12及R13分别独立地为可具有取代基的碳原子数4以上的烃基或-(R14O)r-R15基，其中，R14为烃基或亚甲硅烷基，R15...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村浩昭，齐藤雅俊，近藤浩史，板东彻，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：
国别省市：