形成选择性触点的方法技术

本发明专利技术针对一种用于为光伏电池形成选择性触点的方法，该方法包括：a.在一个半导体衬底的表面上形成一个掺杂的触点层；b.用激光束对所掺杂的触点层的一个部分进行退火，所述部分具有与一个对应的选择性触点网格的至少一个部分相对应的一个2D图案；其特征在于该激光束是脉冲式的并且是按该2D图案来确定形状的。另外，本发明专利技术还针对一种包括由该方法形成的选择性触点的光伏电池。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种使用激光退火为光伏电池。另外，本专利技术还涉及ー种包括根据该方法形成的选择性触点的光伏电池。
技术介绍
在常规的光伏电池制造过程中，发射极触点的形成包含三个主要步骤，即发射极层的形成，该发射极层是掺杂度较高的层并且位于体硅衬底的前方，该体硅衬底的掺杂物类型与该体硅衬底的掺杂物类型不同；在发射极层上形成抗反射涂层(ARC)；以及校准金属化。如本领域的普通技术人员所知，寻求更高电池性能的光伏电池制造商专利技术了所谓 的选择性发射极技木。选择性发射极触点包含ー种给定类型的发射极层，该发射极层在特定位置显示出不同的掺杂水平以及结深度。在此类发射极触点中，只有重掺杂位置会被金属覆盖，并且实现了对外部电路进行光生电荷提取所必需的触点。其结果是，与常规的具有完全覆盖光伏电池前侧的高掺杂度发射极层的发射极触点相比，光伏电池的效率提高了O.5% 到 1%。一种常见的使发射极层在特定位置显示不同的掺杂水平和结深度的技术是激光退火，因为此技术在常规的加热过程中在保持很低的总体热预算的同时可进行很快并且区域性强的热处理，该热处理可以使在加热部分的结深度可控，因而具有重要的优势。因此具体地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.26 EP 10290100.61.ー种用于为光伏电池形成选择性触点的方法，该方法包括 a.在一个半导体衬底的表面上形成一个掺杂的触点层； b.使用ー个激光束对所掺杂的触点层的ー个部分进行退火，所述部分具有与一个对应的选择性触点网格的至少ー个部分相对应的ー个2D图案； 其特征在于，该激光束是脉冲式的并且是按该2D图案来确定形状的。2.根据权利要求I所述的方法,其中该选择性触点网格包括多个并行的触点，并且其中用每个脉冲对具有ー个2D图案的ー个部分进行照射，该2D图案对应于该多个并行触点中的至少ー个部分。3.根据权利要求I或2所述的方法，其中用每个脉冲对至少Icm2的ー个部分进行照射。4.根据权利要求I至3所述的方法，其中该激光退火是以O.I到10J/cm2之间的投射激光束能量密度来进行的。5.根据权利要求I至4所述的方法，其中该脉冲激光束具有的脉冲宽度在100到200纳秒之间。6.根据权利要求I至5所述的方法，其中退火是由ー个准分子激光器来进行的。7.根据权利要求I至6所述的方法，包括在所掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂埃里·埃默罗，
申请(专利权)人：艾思科集团有限公司，
类型：
国别省市：