【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种制造带有背侧接触的半导体电池的光伏模块的方法和一种光伏模块。现有技术由现有技术所公知的基于半导体的光伏模块由半导体电池的全体组成。在它们中在ー个外部的光入射的作用下产生ー个电压。所述半导体电池最好相互连接，以能够从所述光伏模块取出尽可能高的电流强度。因此需要所述半导体电池的ー种接触和所述光伏模块内部的ー种有利的布线。在公知的光伏模块中为了布线而使用所谓的导线带(Bhdchen)。在此一般而言是 带形成的金属制尤其是铜制的导线部分。在一个导线帯同与之连接的半导体电池之间的接触通常借助于ー种软焊接连接进行。在此所述接触从ー个半导体电池的ー个上部的光活性侧通到下一个半导体电池的一个背光的背侧。在所述导线带与所述半导体电池之间的接触位置上金属化接触区处于所述半导体电池上，在所述接触区进行所述焊接连接。为了提高这种光伏模块的光收益，人们カ图把所述的接触完全地安排在所述半导体电池的背光的背侧。于是所述背光侧就形成相应的半导体电池的ー个接触侧。在此必须接触有着不同电位的、安排在共同的接触侧上的ー些接触区。在一个要实现的连接且ー个既有的几何安排中的许多个半...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.14 DE 102010027747.91.一种用于制造带有背侧接触的半导体电池(I)的光伏模块的方法，所述半导体电池(O具有分别设置在接触侧(2)的接触区(3)，该方法包括以下方法步骤 -提供薄膜状的不导电衬底(4)，其在第一衬底侧上帯有至少ー侧的并且至少逐部分地导电的衬底镀膜(5)， -把所述半导体电池的接触侧置于第二衬底侧上， -实施穿过所述衬底和所述衬底镀膜的局部穿孔，以在所述半导体电池(I)的接触区(3)上产生所述衬底中的豁ロ(10)， -敷设接触媒介(I I )，用以填充所述豁ロ( 10)并且用于形成在所述第一衬底侧上的衬底镀膜与所述第二衬底侧上的半导体电池之间的接触。2.如权利要求I所述的方法， 其特征在干， 在所述衬底(4)上安放了所述接触侧(2)之后，通过层压覆盖所述半导体电池(I)。3.如以上权利要求中任一项所述的方法， 其特征在干， 在敷设所述接触媒介(11)之后产生至少ー个其它的接触层，具有方法步骤 -至少逐部分地用绝缘的保护层(12)对所接触的衬底镀膜进行覆盖， -实施穿通所述保护层、所述衬底和/或所述导电衬底镀膜的局部穿孔，以在所述半导体电池(2)的接触区(3)上产生豁ロ(10)， -在所述保护层上敷设接触媒介(13)，以填充所述豁ロ并用于形成所述延伸在所述保护层上的其它的接触层。4.如以上权利要求中任一项所述的方法， 其特征在干， 通过印刷、喷涂或者是焊接进行所述接触媒介(11、13 )的敷设。5.如权利要求4所述的方法， 其特征在干， 在进行所述焊接时，通过焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：U沙夫，A库格勒，P策雷尔，M齐佩尔，P施蒂勒，M科扬库，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：
国别省市：
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