一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线和至少2条垂直于主栅线的细栅线，所述主栅线为分段结构，相邻主栅线之间通过二级主栅线连接；所述主栅线的宽度为1~5毫米，所述二级主栅线的宽度为50~500微米；与二级主栅线垂直相交的细栅线通过折线或曲线与其接近的主栅线连接。本实用新型专利技术的晶体硅太阳能电池的正面电极结构，在降低其银浆耗量的同时，减少了电极遮光面积，增加了效率，并且还兼顾到后续组件的焊接可靠性问题，从而达到降本增效的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体硅太阳能电池，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，属于太阳能应用

技术介绍
目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。因此，世界各国都在积极开发太阳能电池，而高转换效率、低成本是太阳能电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对 简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，丝网印刷用于制备电极，N电极位于晶体硅电池的正面，P电极位于晶体硅电池的背面；现有的丝网印刷的正面电极结构如附图I所示，包括设于硅片I正面的3条主栅线2和多条垂直于主栅线的细栅线4，形成晶体硅电池的N电极(即正面电极结构);其背面电极结构一般包括2 3条印刷于硅片背面的银导体条，形成P电极(即背面电极结构)，N、P电极均需用焊带引出，从而形成晶体硅太阳电池的互连。正面电极由导电材料制成，通常使用银浆。在满足与晶体硅发射极形成欧姆接触的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线(2)和至少2条垂直于主栅线的细栅线(4)，其特征在于：所述主栅线为分段结构，相邻主栅线之间通过二级主栅线(3)连接；所述主栅线的宽度为1~5毫米，所述二级主栅线的宽度为50~500微米；与二级主栅线垂直相交的细栅线通过折线或曲线与其接近的主栅线连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线(2)和至少2条垂直于主栅线的细栅线(4)，其特征在干所述主栅线为分段结构，相邻主栅线之间通过ニ级主栅线(3)连接； 所述主栅线的宽度为广5毫米，所述ニ级主栅线的宽度为50飞00微米； 与ニ级主栅线垂直相交的细栅线通过折线或曲线与...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋林，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：实用新型
国别省市：