匹配器件中的纳米线电路制造技术

一种反向器器件，包括第一纳米线，其连接至电压源节点与接地节点；第一p型场效晶体管(pFET)器件，其具有设置在所述第一纳米线上的栅极；以及第一n型场效晶体管(nFET)器件，其具有设置在所述第一纳米线上的栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体纳米线场效晶体管。
技术介绍
纳米线场效晶体管(FET)包括纳米线的掺杂部分，其接触沟道区并作为器件的源极区与漏极区。FET可用互补金属氧化物半导体方法制造以形成多种集成电路。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，反向器器件包括连接至电压源节 点与接地节点的第一纳米线；具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第一 P型场效晶体管(PFET)器件；以及具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第一 η型场效晶体管(nFET)器件。根据本专利技术的替代实施例，形成反向器器件的方法包括形成第一纳米线；形成具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第一 P型场效晶体管(PFET)器件；形成具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第一 η型场效晶体管(nFET)器件；以及电连接所述第一 pFET器件的所述栅极至所述第一 nFET器件的所述栅极。根据本专利技术的另一替代实施例，存储器器件包括连接至第一位线节点与接地节点的第一纳米线；具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第一场效晶体管(FET);具有设置在所述第一纳米线上的栅极的第二 FET ;连接至电压源节点与第一输入节点的第二纳米线；具有设置在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.13 US 12/758,9391.一种反向器器件，包括 第一纳米线，连接至电压源节点和接地节点； 第一 P型场效晶体管(PFET)器件，具有设置在所述第一纳米线上的栅极；以及 第一 η型场效晶体管(nFET)器件，其具有设置在所述第一纳米线上的栅极。2.根据权利要求I的器件，其中所述器件还包括连接到所述第一pFET器件的所述栅极和所述第一 nFET器件的所述栅极的第三节点。3.根据权利要求I的器件，其中所述器件还包括 第二纳米线,连接至所述电压源节点与所述接地节点； 第二 P型场效晶体管(PFET)器件，具有设置在所述第二纳米线上的栅极；以及 第二 η型场效晶体管(nFET)器件，具有设置在所述第二纳米线上的栅极。4.根据权利要求2的器件，其中所述器件还包括连接至所述第二pFET器件的所述栅极与所述第二 nFET器件的所述栅极的第四节点。5.根据权利要求4的器件，其中所述器件包括所述第四节点与所述第一pFET器件的漏极区和所述第一 nFET器件的漏极区之间的连接。6.根据权利要求I的器件，其中所述第一纳米线为硅纳米线。7.根据权利要求I的器件，其中所述第一纳米线悬浮在衬底之上。8.ー种形成反向器器件的方法，所述方法包括 形成第一纳米线； 形成第一 P型场效晶体管(PFET)器件，其具有设置在所述第一纳米线上的栅极； 形成第一 η型场效晶体管(nFET)器件，其具有设置在所述第一纳米线上的栅极；以及 电连接所述第一 PFET器件的所述栅极至所述第一 nFET器件的所述栅扱。9.根据权利要求8的方法，其中所述方法还包括 形成第二纳米线； 形成第二 P型场效晶体管(PFET)器件，其具有设置在所述第二纳米线上的栅极； 形成第二 η型场效晶体管(nFET)器件，其具有设置在所述第二纳米线上的栅极；以及电连接所述第二 PFET器件的所述栅极至所述第二 nFET器件的所述栅极、所述第一PFET器件的漏极区以及所述第一 nFET器件的漏极区。10.根据权利要求8的方法，其中所述方法还包括将所述第一pFET器件的源极区连接至电压源节点，11.根据权利要求8的方法，其中所述方法还包括将所述第一nFET器件的源极区至接地节点。12.—种存储器器件，包括 第一纳米线，连接至第一位线节点与接地节点； 第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·邦萨伦提普，G·科恩，A·马宗达，J·W·斯雷特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：