制造绝缘层的方法、制造含绝缘层的有机光电子器件的方法和含绝缘层的有机光电子器件技术

提出一种用于制造绝缘层的方法。所述方法包括下列方法步骤：A)提供前体，所述前体包括第一成分、第二成分和第三成分的混合物，其中‑第一成分包括通式IA的化合物，其中R1和R2彼此独立地选自：氢和烷基残基并且n＝1至10000；第二成分包括通式IIA的化合物，其中R3代表烷基残基，并且第三成分包括至少一种胺类化合物；B)将前体施加到衬底上；C)硬化前体来形成绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利申请要求德国专利申请102014106885.8的优先权，其公开内容通过参引并入本文。本专利技术涉及一种用于制造绝缘层的方法、一种用于制造包括绝缘层的有机光电子器件的方法和一种包括绝缘层的有机光电子器件。
技术介绍
有机光电子器件、如有机发光二极管(OLED)的使用寿命经常非常短。通过有机材料的降解、通过颗粒或但也通过过工艺上预处理/未处理的材料与例如发光层的有机材料进行的化学反应产生的自发失效造成面光源、如OLED中使用寿命降低，这导致发光层的边缘区域变暗。通过例如工艺决定而温度、臭氧、UV辐射和/或等离子作用于与发光层邻接的绝缘层上的方式，触发发光层的边缘区域变暗，所述变暗也能够称作发光面收窄或像素收缩，所述绝缘层部分地被破坏并且所述绝缘层然后与发光层的有机材料反应。但刚好需要所述工艺来改进OLED的使用寿命，其方式为：例如通过使用UV辐射、臭氧和/或等离子来改进将透明的电极的载流子注入到功能层中。也存在问题：由于提高温度而引起，绝缘层的组成部分排气进而损害发光面。从现有技术已知通过弃用温度处理、臭氧处理、UV处理和等离子处理的方式来由此应对发光面收窄的问题。当然，弃用这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造绝缘层(6a，6b，6c)的方法，所述方法具有如下方法步骤：A)通过混合第一成分、第二成分和第三成分提供前体，其中‑所述第一成分包括通式IA的化合物其中R1和R2彼此独立地选自：氢和烷基残基，并且n＝1至10000；‑所述第二成分包括通式IIA的化合物其中R3代表烷基残基，并且‑所述第三成分包括至少一种胺类化合物B)将所述前体施加到衬底上；C)硬化所述前体来形成所述绝缘层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.15 DE 102014106885.81.一种用于制造绝缘层(6a，6b，6c)的方法，所述方法具有如下方法步骤：A)通过混合第一成分、第二成分和第三成分提供前体，其中-所述第一成分包括通式IA的化合物其中R1和R2彼此独立地选自：氢和烷基残基，并且n＝1至10000；-所述第二成分包括通式IIA的化合物其中R3代表烷基残基，并且-所述第三成分包括至少一种胺类化合物B)将所述前体施加到衬底上；C)硬化所述前体来形成所述绝缘层。2.根据权利要求1所述方法，其中所述第一成分包含按所述第一成分的总重量计占45重量％-65重量％的所述式IA的化合物。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一成分包括通式IB的至少一种化合物，其中R5、R6、R7和R9彼此独立地选自：氢、甲基残基、乙基残基，R8选自：氢、甲基残基、乙基残基、正丙基残基、异丙基残基和正丁基残基，并且其中代表残基R4到所述通式IB的化合物上的结合。4.根据权利要求3所述方法，其中所述通式IB的所述至少一种化合物具有下列的式IB-15.根据权利要求3或4中任一项所述的方法，其中所述第一成分包括所述通式IB的两种、三种或四种不同的化合物。6.根据权利要求5所述方法，其中所述通式IB的该四种化合物具有下列的式IB-1、IB-2、IB-3和IB-4：7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二成分的所述通式IIA的化合物具有下列通式IIA-1：8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述胺类化合物选自：式III-1的化合物、式III-2的化合物和由其构成的组合：9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述前体由所述第一成分、所述第二成分和所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·波普，安德鲁·英格尔，克里斯托夫·凯费斯，约翰内斯·罗森伯格，斯特凡·德尚，埃格伯特·赫夫林，本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔，
申请(专利权)人：欧司朗OLED股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE