【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种装配纳米电子器件的方法,属于纳米材料
技术介绍
随着人们对于集成电路更高性能的需求,在保证芯片可靠性的基础上,集成在芯片上的电路集成密度不断增加、互连线宽度不断减小,从最早期刻蚀法制备的铝互连线到现在主流的双镶嵌铜互连技术,制造工艺在持续改进。然而现在铜互连工艺也因为电迁移失效等问题越来越接近其临界极限,迫使集成电路行业必须寻求新型互连材料。许多纳米材料因为其优异的电学性能而成为了新型互连材料的热门候选。然而,由于纳米材料的尺度在纳米量级,与常规集成电路互连制造工艺不再兼容,因此,如何实现纳米材料的精确装配,使纳米材料按预定的方向和密度可控装配到目标结构,并且使装配后的纳米材料与金属电极间形成牢固可靠的低电阻接触,成为纳米材料互连应用的关键问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种装配纳米电子器件的方法。本专利技术的方法使装配到电子器件上的纳米材料数目可控,同时装配的纳米材料与微电极对接触可靠。本专利技术是通过以下技术方案实现的,本专利技术具体包括如下步骤:步骤一:搭建用于装配纳米电子器件的电路系统;电路系统包括高低频交流电源、加法器、电键、微电极对、滤波电路、I/V转换电路、A/D转换电路、锁相放大器、计算机,高低频交流电源中的高低频电流经过加法器叠加之后经过电键连接微电极对的一端,微电极对的另一端连接滤波电路滤掉不用的高频波段,再经过I/V转换电路将电流信号转换为易于检测的电压信号,并通过A/D转换电路实现A/D转换,最后接入锁相放大器识别出所需信号 ...
【技术保护点】
一种装配纳米电子器件的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:搭建用于装配纳米电子器件的电路系统;电路系统包括高低频交流电源(1)、加法器(2)、电键(3)、微电极对(4)、滤波电路(5)、I/V转换电路(6)、A/D转换电路(7)、锁相放大器(8)、计算机(9),高低频交流电源(1)中的高低频电流经过加法器(2)叠加之后经过电键(3)连接微电极对(4)的一端,微电极对(4)的另一端连接滤波电路(5)滤掉不用的高频波段,再经过I/V转换电路(6)将电流信号转换为易于检测的电压信号,并通过A/D转换电路(7)实现A/D转换,最后接入锁相放大器(8)识别出所需信号,同时使用计算机(9)对信号进行监控,并通过对于电键闭合的控制实现智能可控的装配过程;步骤二:装配数目一定的纳米材料到微电极对上;步骤三:运用高频超声波能量对装配好的电子器件进行键合。
【技术特征摘要】
1.一种装配纳米电子器件的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:搭建用于装配纳米电子器件的电路系统;电路系统包括高低频交流电源(1)、加法器(2)、电键(3)、微电极对(4)、滤波电路(5)、I/V转换电路(6)、A/D转换电路(7)、锁相放大器(8)、计算机(9),高低频交流电源(1)中的高低频电流经过加法器(2)叠加之后经过电键(3)连接微电极对(4)的一端,微电极对(4)的另一端连接滤波电路(5)滤掉不用的高频波段,再经过I/V转换电路(6)将电流信号转换为易于检测的电压信号,并通过A/D转换电路(7)实现A/D转换,最后接入锁相放大器(8)识别出所需信号,同时使用计算机(9)对信号进行监控,并通过对于电键闭合的控制实现智能可控的装配过程;
步骤二:装配数目一定的纳米材料到微电极对上;
步骤三:运用高频超声波能量对装配好的电子器件进行键合。
2.如权利要求1中所述的一种装配纳米电子器件的方法,其特征在于,步骤一中使用的高低...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵波,姜国华,王楠,
申请(专利权)人:江苏师范大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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