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本实用新型提供一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，基于SOI衬底片结合深沟槽的全介质隔离技术，能够彻底消除以往体硅电路中存在的寄生闩锁效应。采用双栅氧工艺流程制备的厚栅氧的高压MOS管，可靠性好，开启电压得到提高。所述高压MOS管的...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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