【技术实现步骤摘要】
双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管
本专利技术涉及一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管。
技术介绍
目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。传统的非晶硅TFT在大面积排布时表现出良好的电特性，但是它们在正偏压工作条件下并不稳定。此夕卜，在驱动OLED显示时，由于电荷诱导效应和亚稳态的产生，导致开启电压不可避免出现漂移现象。相反，低温多晶硅TFT在驱动OLED显示时具有良好的开启电压稳定性，但是不利于大面积排布，表现出不均匀性，从而限制了其应用领域。近年来国内外文献中报道使用ZnO透明薄膜材料作为TFT的导电沟道，主要采用 顶栅和底栅结构，其驱动电压较高，工作电流在微安量级，还不能够充分满足有源有机发光二极管平板显示器所需要的毫安量级驱动电流。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种驱动电压低，工作电流大，栅极电压控制灵敏，具有高速、高电流密度的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管。上述的目的通过以下的技术方案实现一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括底衬板，所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层，所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道Zn...
【技术保护点】
一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板，其特征是：所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层，所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层，所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层。
【技术特征摘要】
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