栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，特别是栅体通过反偏肖特基结连接ＳＯＩ动态阈值晶体管的方法。包括：ＳＯＩ衬底（３）；形成在ＳＯＩ顶层硅膜（１）内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极（５５），栅氧化层（５１），漏电极（５２），源电极（５３）（源漏可以互换）和体区（５４）；连接到晶体管栅电极（５５）和体区（５４）之间的反偏肖特基结（５０）；用金属（０２）将栅电极（５５）和体引出部分（１０）电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。本发明专利技术的晶体管适用于低压低功耗高速集成电路领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件
，特别是一种栅体通过反偏肖特基结连接绝缘体上硅(SOI)动态阈值晶体管结构和相关的工艺方法。
技术介绍
第一个SOI动态阈值晶体管(DTMOS)结构，同时也是首个真正的DTMOS，由IBM Fariborz Assaderaghi等人于1994年提出，引起研究者的广泛兴趣。这种器件结构的栅电极和体区直接相连，与传统CMOS工艺兼容并且能够有效地解决纳米尺度器件所存在的工作电压和阈值电压之间的矛盾在关态情况下，器件具有较高的阈值电压，从而降低漏电流；在开态情况下，器件具有较低的阈值电压，从而提高驱动了能力。DTMOS降低了沟道方向的垂直电场强度，因此提高了载流子迁移率，并且增加沟道中载流子浓度，拥有接近理想的亚阈值斜率。DTMOS被认为是面向低压、低功耗、高速移动系统和SOC的很有前景的一种器件结构。DTMOS的工作原理，以栅体直接连接动态阈值晶体管为例，是通过铝等金属将栅和体短接，从而使体电位跟随栅电位等幅变化。当栅电位为高电平时，体源二极管正向偏置，在栅电位为低电平时，体源二极管零偏或者反偏，从而调节阈值电压，达到改善驱动能力的目的。栅体直接连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：ＳＯＩ衬底（３）；形成在ＳＯＩ顶层硅膜（１）内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极（５５），栅氧化层（５１），漏电极（５２），源电极（５３）和体区（５４）；连接到晶体管栅电极（５５）和体区（５４）之间的反偏肖特基结（５０）；用金属（０２）将栅电极（５５）和体引出部分（１０）电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括SOI衬底(3)；形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极(55)，栅氧化层(51)，漏电极(52)，源电极(53)和体区(54)；连接到晶体管栅电极(55)和体区(54)之间的反偏肖特基结(50)；用金属(02)将栅电极(55)和体引出部分(10)电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。2.根据权利要求1的半导体器件，特征在于，通过形成硅化物的工艺步骤中，在晶体管的源漏部分形成欧姆接触，在晶体管的体引出部分(10)形成反偏肖特基结(50)。3.根据权利要求2的半导体器件，特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕津顺，海潮和，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]