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本发明涉及半导体器件技术领域，特别是栅体通过反偏肖特基结连接ＳＯＩ动态阈值晶体管的方法。包括：ＳＯＩ衬底（３）；形成在ＳＯＩ顶层硅膜（１）内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极（５５），栅氧化层（５１），漏电极（５２），源电极（５３）（源漏可...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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