【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种测量薄层异质半导体材料界面温升和热阻的方法,其特征在于步骤如下:1)、选择一被测器件,将其放置一温度为T0恒温平台;在栅源电极组成的肖特基结上接入一小的正向电流(1?5mA),结电压为V0;并将其与一采集卡相连,以采集肖特基结电压;2)、将一加热的激光光源,调整照射光束至器件的栅极和漏极之间区域,激光器照射的能量密度为W;若照射到器件表面的面积为S,激光照到表面的透射率为ν,则半导体器件样品的热功率为Wh=WSν;3)、启动激光照射的同时,启动采集卡,采集肖特基结电压V(t)随加热时间的变化;当施加的热源与恒温平台之间达到稳定状态后,结电压V(t)不再随加热时间变化,温升引起结电压随时间变化的曲线:ΔV(t)=?V(t)?V0;?4)、通过设置恒温平台温度来设定两个温度T1、T2,分别采集两个温度下器件肖特基结电压V2、V1,肖特基结的温度系数α=(V2?V1)/(T2?T1);5)、器件异质结瞬态温升曲线ΔT(t)=(V(t)?V0)/α;将ΔT(t)和Rth(t)数据输入热阻测试仪器或结构函数处理软件,即得到器件外延层薄层以及不同部位的温升;6)、结合热阻定义Rth=ΔT(t) ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:冯士维,张亚民,马琳,郭春生,朱慧,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:
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