金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的整合组件，包括一定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区的半导体基底；复数个设置于所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内的第一沟渠与复数个设置于所述肖特基二极管区的第二沟渠。所述第一沟渠包括一覆盖所述第一沟渠底部与侧壁的第一绝缘层与一第一导电层，用以作为一沟渠式金属氧化物半导体场效应晶体管的沟渠式栅极。所述第二沟渠的宽度与深度皆大于所述第一沟渠，其内分别包括一覆盖所述第二沟渠底部与侧壁的第二绝缘层与一第二导电层，且所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种整合金属氧化物半导体场效晶体管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,M0SET)与肖特基二极管的半导体组件及其制作方法，尤指一种整合沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件与肖特基二极管 (trench MOS barrier Schottky, TMBS)的半导体组件及其制作方法。
技术介绍
肖特基二极管组件是由金属与半导体接面构成的二极管组件，如同一般PN接面二极管，其具有单向导通的特性。又因肖特基二极管是单载子(unipolar)移动，因此其启动电压较PN 二极管组件低，且在顺逆向偏压切换时反应速度较快，故特别用于减低功率耗损量以及增进切换的速度，并广泛地使用于电源转换电路(power converter)上。例如金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的整合组件即是利用肖特基二极管正向电压降(forward voltage, Vf)远低于金属氧化物半导体场效应晶体管的体二极管(body diode)的电压降，以及其良好的反向恢复(reverse recovery)特性、快速的动态响应时间 (dyn本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种整合金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的半导体组件，其特征在于，包括：一半导体基底，所述半导体基底包括一第一表面与一相对的第二表面，所述第一表面定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区；复数个一第一沟渠，设置于所述第一表面的所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内；一第一绝缘层，覆盖所述第一沟渠底部与侧壁；一第一导电层，填满所述第一沟渠，且用以作为一金属氧化物半导体场效应晶体管的沟渠式栅极；复数个第二沟渠，以及由所述第二沟渠定义的复数个平台，设置于所述第一表面的所述肖特基二极管区内，所述第二沟渠的宽度与深度皆大于所述第一沟渠；一第二绝缘层，覆盖所述第二沟渠底部与侧壁...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟捷，林礼政，徐信佑，陈和泰，叶人豪，杨国良，陈佳慧，洪世杰，
申请(专利权)人：茂达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71