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本实用新型涉及一种功率金氧半导体场效晶体管，有有源区、栅极母线区以及终端区，其包含基板、导电沟渠、阱区与介电层。所述功率金氧半导体场效晶体管还具有至少一终端结构，其包括至少一个导电沟渠、多个位于终端区内并借助于导电沟渠互相电性隔离的阱区、一...
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