一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷，如式(I)所示：Bi10Fe5.9Co0.1Ti3O30(I)。其具有较高的居里温度，在室温下同时具有铁电性和铁磁性，并具有本征的交换偏置效应。不仅可以磁场调控，还可实现电场调控，提供了同时利用电极化和磁极化来编码储存信息的可能性，进而使超高存储密度的磁电互控非易失存储磁性介质成为可能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁电互控非易失存储
，尤其涉及一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法。
技术介绍
交换偏置效应是材料磁性研究中一种非常重要的物理现象。1991年，基于交换偏置效应的自旋阀结构的发现，使得巨磁电阻材料向应用迈出了至关重要的一步。此后，又发展了磁隧道结结构等自旋电子器件。如今，交换偏置效应已是信息存储技术的重要基础，广泛应用于磁性读出头、磁随机存储器和磁敏传感器等领域。一般认为，交换偏置效应起源于材料中铁磁和反铁磁两相界面处的交换耦合作用，即界面处反铁磁相对铁磁相的“钉扎”。体系在外磁场中从高于反铁磁奈尔温度冷却到低温后，铁磁层的磁滞回线将沿磁场方向偏离原点，同时伴随着矫顽力的增加。因此，常见的交换偏置体系为同时包含有铁磁和反铁磁相的复合材料，如铁磁/反铁磁双层膜、铁磁/反铁磁超晶格、铁磁/反铁磁纳米结构等。其中，铁磁相还可以为亚铁磁相。近年来，基于BiFeO3(BFO)反铁磁薄膜层引发的交换偏置效应引起了人们极大的兴趣。BF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷，如式(I)所示：Bi10Fe5.9Co0.1Ti3O30   (I)。

【技术特征摘要】
1.一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷，如式(I)所示：
Bi10Fe5.9Co0.1Ti3O30   (I)。
2.一种权利要求1所述的多铁陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
A)将钛酸酯类化合物、铋源化合物、铁源化合物与钴源化合物按金属离
子的比例在溶剂中，与络合剂混合，蒸干燃烧成粉，预烧后得到粉体；
B)将所述粉体压片，进行烧结，得到所述多铁陶瓷。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钛酸酯类化合物
为钛酸正丁酯或钛酸异丙酯；所述铋源化合物为硝酸铋、碱式碳酸铋或草酸
铋；所述铁源化合物为硝酸铁或草酸铁；所述钴源化合物为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆亚林，黄妍，彭冉冉，傅正平，翟晓芳，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34