【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于平板显示领域,具体涉及一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。
技术介绍
有源矩阵有机发光二级管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode)AMOLED具有体积小,结构简单,自主发光,亮度高,画质好,可视角度大,功耗低,响应时间短等优点,因而引起广泛关注,极可能成为取代液晶的下一代显示技术。当前,用于驱动AMOLED的薄膜晶体管TFT主要有非晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜 晶体管。由于OLED电流驱动的特性,非晶硅薄膜晶体管由于载流子迁移率低无法提供足够的驱动电流,因而多晶硅薄膜晶体管成为驱动OLED的首选。现有技术中,通常采用两个晶体管TlO和T20和一个电容C的2T1C的像素驱动电路用来驱动0LED,如图I所示。但是,一方面,由于晶体管T20的阈值电压会随着工作时间而漂移,从而导致OLED的发光不稳定;另一方面,由于晶体管TlO的泄漏电流的存在,使得电容C的电压不稳定,从而也导致了 OLED的发光不稳定。而且,由于各个像素的晶体管T20的阈值电压的漂移不同,增大或减小,使得各个像素间的发光不 ...
【技术保护点】
一种像素驱动电路包括:第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容CST,和有机发光二极管OLED;其中,所述第二晶体管T2为异步双栅多晶硅薄膜晶体管;所述存储电容的一端接地GND;所述第一晶体管T1的漏极接数据线DATA,栅极接扫描控制线SCAN,源极接存储电容的非接地端VG,所述第一晶体管T1为数据电压写入到所述第二晶体管T2的顶栅并存储于所述存储电容CST提供开关通路;所述第二晶体管T2的漏极接所述有机发光二极管OLED的阴极VD并通过OLED与电源线VDD相连,顶栅接所述存储电容的非接地端VG,源极接地,底栅接预充电电压VPRE通过反馈线Lf与漏极VD相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王漪,王亮亮,韩德栋,蔡剑,王薇,耿友峰,张盛东,刘晓彦,康晋锋,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:
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