一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为42wt％～95wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8～8.8，介电损耗为0.00007～0.00019，Q×f为72000～123000GHz，谐振频率温度系数为-40～-31ppm/℃，采用高温固相反应法制备而成。本发明专利技术微波介质陶瓷材料制备方法简单，所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，所制得的微波介质陶瓷性能稳定，可作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、高频卫星微波器件基板与微带线的制造材料使用，在电子线路、微波移动通信、卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景及经济价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为42wt％～95wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8～8.8，介电损耗为0.00007～0.00019，Q×f为72000～123000GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑31ppm/℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，付志粉，马建立，李晶，陈晓明，冯琴琴，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61