垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括：在氮化硅层表面淀积绝缘层；在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度。本发明专利技术提供的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，在小于漏源软击穿的阈值温度的设定温度下对绝缘层进行回流处理，通过降低回流处理时的温度，使得源区横向扩散的距离变短，体区的有效沟道长度变长，降低了器件体区/外延层漂移区结反向偏置状态下体区耗尽层穿通到源区的风险，达到解决器件漏源软击穿的目的。且该方法对器件的其余电性参数基本无影响，避免了人力物力的浪费。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导 体场效应管的制造方法。
技术介绍
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VerticalDouble-diffusionMetal OxideSemiconductor，简称VDM0S)兼具双极性晶体管和金属氧化物半导体场效应管 (MetalOxideSemiconductor,简称M0S)的优点，具有接近无限大的静态输入阻抗和非常 快的开关时间，因此无论是开关应用还是线性应用，都是理想的功率器件。 图1为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的结构示意图，如图1所示，包括： 衬底11、设置在衬底11表面的外延层12、设置在外延层12表面且部分被刻蚀的栅氧化层 13、设置在栅氧化层13表面且部分被刻蚀的多晶硅层14、设置在外延层12内的体区15、设 置在体区15中的源区16、设置在多晶硅层14表面且部分被刻蚀的氮化硅层17、设置在体 区15中的接触区18、设置在氮化硅层17表面且部分被刻蚀的绝缘层19和设置在绝缘层 19表面且厚度能够填满栅氧化层13、氮化硅层17和绝缘层19被刻蚀区域的金属层20。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在氮化硅层表面淀积绝缘层；在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘竹，张立荣，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11