一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管制造技术

本发明专利技术提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)，该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用SiC材料具有较高的临界击穿电场(EC‑SiC＝3.0×106V/cm＞EC‑Si＝3.0×105V/cm)的特性，使得器件的击穿位置在SiC埋层中，从而有效地提高了LDMOS的击穿电压，使得器件的性能大幅度提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。
技术介绍
在功率单片集成技术中，结合隔离技术以及高低压兼容等关键工艺，可集成的高压功率器件是功率集成电路(PIC)的核心。由于横向双扩散MOS(LDMOS)器件具有易集成、频率特性好、低功耗等方面的优势，LDMOS已经作为了高压功率集成电路(HVIC)和智能功率集成电路(SPIC)中的关键核心器件。近年来，随着功率电子学的不断发展，对横向双扩散MOS器件(即LDMOS)等核心功率器件提出了低成本、高可靠性的要求。在HVIC和PIC中采用的场板技术和RESURF(REducedSURfaceField)等技术有效地优化了器件的表面电场，提升了器件的性能。然而实验表明，这些改进后的器件在漏端体内易发生发生击穿。申请人分析原因后认为：LDMOS的体电场并没有得到优化，使得在器件的漏极下方形成高峰电场导致击穿。并且由于Si材料具有相对较低的临界击穿电场约为3.0×105V/cm，使得器件的性能受到限制。为了进一步提高LDMOS的击穿电压，改善器件性能，本专利技术利用宽禁带半导体材料SiC在器件的漏端下方形成埋层。利用宽禁带材料具有较高的临界击穿电场的优势3.0×106V/cm来提高器件的击穿电压，并且有效地改善了器件的性能。
技术实现思路
本专利技术提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，旨在全面、有效优化LDMOS击穿电压与比导通电阻的矛盾。本专利技术的技术方案如下：横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生长的外延层；在所述外延层上形成相邻接的基区和漂移区；在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道，同时在漂移区上远离沟道一侧形成漏区，在所述基区上形成沟道衬底接触并与靠近沟道一侧短接形成源区，位于沟道上方的栅绝缘层以及栅极；分别在源区和漏区上形成的源极和漏极；其特征在于：所述外延层为异质外延层，即形成具有宽禁带半导体材料SiC埋层的外延层，SiC埋层形成在特定位置，即形成在之后形成的漏区下方。基于上述基本方案，本专利技术还进一步做如下优化限定和改进：所述SiC埋层的厚度根据器件的耐压而确定。例如器件耐压为50V-2000V，埋层厚度约1μm-2μm。所述SiC埋层的最优长度LD-Op根据漂移区长度LD而确定，具体是长度范围为LD-Op＝(1/10LD-1/2LD)。所述SiC埋层的掺杂浓度根据衬底的掺杂浓度而确定。例如Si衬底浓度为1014cm-3时，SiC埋层的掺杂浓度约为1015cm-3。一种制作上述器件的方法，包括以下步骤：1)在半导体材料的衬底上形成外延层；2)在外延层上左端形成基区；3)从基区到右端形成漂移区；4)形成有源区；5)在沟道上面形成栅氧化层并淀积多晶硅、刻蚀多晶硅和栅氧化层，形成栅极；6)在基区利用双扩散技术注入形成沟道，同时在漂移区的右端注入形成漏区；7)在基区左端形成沟道衬底接触；8)在器件表面淀积钝化层，并刻蚀接触孔；9)淀积金属并刻蚀形成漏极和源极；有别于现有技术的是：在步骤1)完成后，在外延层右端对应于之后将形成的漏区的下方位置，通过异质外延技术形成SiC埋层；步骤3)中右端的漂移区部分是在该SiC埋层上形成。本专利技术技术方案的有益效果如下：在LDMOS器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。一方面使得器件的击穿位置形成在具有高临界击穿电场的SiC材料中，这种新的结构可以将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用SiC材料具有较高的临界击穿电场(EC-SiC＝3.0×106V/cm＞EC-Si＝3.0×105V/cm)的特性，使得器件的击穿位置在SiC埋层中，从而有效地提高了LDMOS的击穿电压；另一方面也有效地改善了LDMOS器件的体电场分布。总体上使得器件的击穿电压提高，有效地提高了器件性能。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图(正视图)；附图标号说明：1-源极；2-栅极；3-栅绝缘层；4-漂移区；5-漏电极；6-漏区；7-SiC埋层；8-外延层；9-衬底；10-基区；11-源区；12-沟道。具体实施方式如图1所示，本专利技术的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构包括：半导体材料的衬底9；位于衬底上的外延层8并形成SiC埋层7；分别位于外延层上两端的基区10和漏区6，漏区上面为漏极5；位于基区表面的源区11和沟道12；源区表面形成源极1，沟道12上面为栅绝缘层3位于栅极2下方；沟道与漏区之间为漂移区4；在LDMOS器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。一方面使得器件的击穿位置形成在具有高临界击穿电场的SiC材料中，这种新型半导体功率器件可以将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用SiC材料具有较高的临界击穿电场(EC-SiC＝3.0×106V/cm＞EC-Si＝3.0×105V/cm)的特性，使得器件的击穿位置在SiC埋层中，从而有效地提高了LDMOS的击穿电压；另一方面也有效地改善了LDMOS器件的体电场分布。总体上使得器件的击穿电压提高，有效地提高了器件性能。以N沟道LDMOS为例，具体可以通过以下步骤进行制备：1)半绝缘材料(包括Si、SiC和GaAs等)的衬底上外延层；2)在外延层上通过异质外延技术形成SiC埋层；2)在外延层上左端形成P型基区；3)从基区到右端漂移区；4)形成有源区；5)在沟道上面形成栅氧化层并淀积多晶硅、刻蚀多晶硅和栅氧化层，形成栅极；6)在基区利用双扩散技术注入形成沟道，同时在右端注入形成漏区；7)在基区左端形成沟道衬底接触；8)在器件表面淀积钝化层，并刻蚀接触孔；9)淀积金属并刻蚀形成漏极和源极。经Sentaurus仿真，该器件的性能较之于传统器件大幅度提升，在两种器件漂移区长度相同的情况下该器件的击穿电压提高约40％。当然，本专利技术中的LDMOS也可以为P型沟道，其结构与N沟道LDMOS等同，LDMOS也包括SuperJunctionLDMOS，这些均应视为属于本申请权利要求的保护范围，在此不再赘述。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换的方案也落入本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生长的外延层；在所述外延层上形成相邻接的基区和漂移区；在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道，同时在漂移区上远离沟道一侧形成漏区，在所述基区上形成沟道衬底接触并与靠近沟道一侧短接形成源区；位于沟道上方的栅绝缘层以及栅极；分别在源区和漏区上形成的源极和漏极；其特征在于：所述外延层为异质外延层，即形成具有宽禁带半导体材料SiC埋层的外延层，SiC埋层形成在漏区下方。

【技术特征摘要】
1.一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生长的外延层；在所述外延层上形成相邻接的基区和漂移区；在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道，同时在漂移区上远离沟道一侧形成漏区，在所述基区上形成沟道衬底接触并与靠近沟道一侧短接形成源区；位于沟道上方的栅绝缘层以及栅极；分别在源区和漏区上形成的源极和漏极；其特征在于：所述外延层为异质外延层，即形成具有宽禁带半导体材料SiC埋层的外延层，SiC埋层形成在漏区下方。2.根据权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述SiC埋层的厚度根据器件的耐压而确定。3.根据权利要求2所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：器件耐压要求为50V-2000V，则SiC埋层厚度为1μm-2μm。4.根据权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述SiC埋层的长度LD-Op根据漂移区长度LD而确定，长度范围为LD-Op＝(1/10LD-1/2LD)。5.根据权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述SiC埋层的掺杂浓度根据衬底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宝兴，曹震，吕建梅，董自明，师通通，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61