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本发明提供一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括：在氮化硅层表面淀积绝缘层；在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度。本发明提供的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，在小于漏...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。