一种薄膜平面化的半导体工艺制造技术

一种薄膜平面化的半导体工艺，在现有的利用石墨烯薄膜来制作半导体工艺中，常常会遇到薄膜受损严重的情况。本发明专利技术将光刻与溅射工艺相结合，并利用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma，ICP)，来保证石墨烯薄膜和金属结构的完整接触。在提高了金属和衬底的粘附性的同时，又不损坏石墨烯的薄膜结构，大大提高了半导体器件的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件的制备领域，具体涉及一种薄膜平面化的半导体工艺。
技术介绍
半导体器件的加工工艺主要分为平面工艺和体工艺，体工艺要求器件的尺寸足够大，且不利于精确控制加工尺寸，尤其在涉及到薄膜技术时，由于器件上的不同高度形成的台阶，会使薄膜跟台阶接触的断面下方有部分薄膜悬空，极易导致薄膜的断裂或破损，严重影响了器件的结构和稳定性。石墨烯是一种具有零带隙、高迀移率、低电阻率和高透光性的新型碳材料，厚度只有0.34nm。利用其能带结构和相关性质，可以制成很多半导体领域的器件，而在器件的结构中，为了保证石墨烯薄膜和器件的完整接触，即保证石墨烯不会由于器件结构的高度差过大而断裂，需要使高度差降到最低。但如果减薄材料的沉积厚度，又会使后续一些工艺的稳定性受到影响，比如减少绝缘层的厚度会导致漏电现象，降低金属的厚度会使金属与衬底粘合性变差。传统的石墨烯半导体器件的制作方法是先转移石墨烯到目标衬底上，然后对带有石墨烯的衬底进行电子束光刻和蒸发沉积金属。蒸发形成的金属虽然沉积速率高，然而不能沉积金属合金，同时蒸发出来的原子或分子的量较大且速度不稳定，这些都会导致金属与衬底的附着性变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜平面化的半导体工艺，其特征在于：具体工艺步骤如下：S1将带有绝缘介质层的硅片洗净后，准备光刻，此时绝缘介质层(2)在硅衬底(1)上；S2光刻，光刻胶(3)在绝缘介质层(2)上；S3用光刻胶(3)作掩膜，ICP刻蚀，刻蚀凹槽；S4选择好刻蚀参数，在刻蚀完成后去胶，并用台阶仪测量所刻蚀凹槽的深度；S5溅射金属，溅射的厚度为上一步测出的对应深度，则此时溅射的金属材料(4)刚好能填平S3所刻蚀的凹槽；S6用有机溶液剥离掉多余的金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晨，刘奇，孙捷，许坤，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11