用于半导体的粘合膜制造技术

本发明专利技术涉及用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由于半导体基板的配线或连接至半导体芯片的配线等引起的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体的粘合膜
相关申请的交叉引用本申请要求在2015年4月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0060690号的权益，其公开内容通过引用全文并入本文。本专利技术涉及用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如来自半导体基板的配线、附接至半导体芯片的配线等的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。
技术介绍
近来，随着电子装置日益趋向小型化、高性能和大容量，对高密度且高度集成的半导体封装的需求快速增加，因此半导体芯片的尺寸正在逐渐变大，并且为了提高集成程度，越来越多地使用多级堆叠芯片的堆叠封装方法。在这种多级堆叠结构中，为了确保其中设置有电连接下部芯片与基板的下部接合线的空间，在下部芯片与上部芯片之间的界面处引入间隔件。在引入这种用于确保空间的间隔件的情况下，封装的总厚度变厚并且增加了附接间隔件的单独过程。为了克服该问题，近来使用在高温下具有低粘度的粘合剂代替间隔件来填充例如来自配线等的不平坦的方法。然而，存在这样的限制：具有低粘度的粘合剂可能无法确保高弹性并且具有高断裂伸长率。此外，如果粘合剂自身的弹性减小，则由于切割晶片时产生的热，粘合剂可软化以致部分产生毛刺，并因此其可污染晶片，或者可通过与下部支撑膜的粘合剂混合来使用，从而降低后续拾取效率。此外，近来，由于半导体芯片变得更薄，所以存在在现有的刀片切割工艺中芯片受损从而降低产率的问题，为了克服这一问题，提出了首先用刀片切割半导体芯片然后抛光的制备工艺。粘合剂应该能够在低温下通过扩展工艺切割以应用于这样的制备工艺。然而，具有低延展性的粘合剂在室温下不易切割，并且当在切割之后将其在室温下静置时，由于低延展性而发生再粘合，从而降低了半导体芯片的产率。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个目的是提供用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由于半导体基板的配线、附接至半导体芯片的配线等引起的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。技术方案本文中提供了用于半导体的粘合膜，其在110℃的温度和5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室温下在5％至10％伸长率下产生的模量为50MPa或更高。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用于连接引线框或基板与管芯或者连接管芯与管芯。用于半导体的粘合膜可包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。更特别地，用于半导体的粘合膜可包含：连续相基体，包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、和液体环氧树脂；以及分散在所述连续相基体中的固体环氧树脂。在用于半导体的粘合膜中，固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比可为1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用于半导体的粘合膜中，酚树脂相对热塑性树脂、酚树脂和液体环氧树脂的总重量的重量比可为0.280或更大、或者0.300至0.600。用于半导体的粘合膜的厚度可为1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可为1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可为300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中还提供了用于半导体的粘合膜，其在110℃的温度和5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室温下的伸长率为500％或更低。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用于连接引线框或基板与管芯或者连接管芯与管芯。用于半导体的粘合膜可包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。更特别地，用于半导体的粘合膜可包含：连续相基体，包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、和液体环氧树脂；以及分散在所述连续相基体中的固体环氧树脂。在用于半导体的粘合膜中，固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比可为1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用于半导体的粘合膜中，酚树脂相对热塑性树脂、酚树脂和液体环氧树脂的总重量的重量比可为0.280或更大、或者0.300至0.600。用于半导体的粘合膜的厚度可为1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可为1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可为300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中还提供了用于半导体的粘合膜，其在室温下在5％至10％伸长率下产生的模量为50MPa或更高，并且在室温下的伸长率为500％或更低。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用于连接引线框或基板与管芯或者连接管芯与管芯。用于半导体的粘合膜可包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。更特别地，用于半导体的粘合膜可包含：连续相基体，包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、和液体环氧树脂；以及分散在所述连续相基体中的固体环氧树脂。在用于半导体的粘合膜中，固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比可为1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用于半导体的粘合膜中，酚树脂相对热塑性树脂、酚树脂和液体环氧树脂的总重量的重量比可为0.280或更大、或者0.300至0.600。用于半导体的粘合膜的厚度可为1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可为1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可为300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中还提供了用于半导体的粘合膜，其在110℃的温度下在5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，在室温下在5％至10％伸长率下产生的模量为50MPa或更高，并且在室温下的伸长率为500％或更低。用于半导体的粘合膜可包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。更特别地，用于半导体的粘合膜可包含：连续相基体，包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、和液体环氧树脂；以及分散在所述连续相基体中的固体环氧树脂。在用于半导体的粘合膜中，固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比可为1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用于半导体的粘合膜中，酚树脂相对热塑性树脂、酚树脂和液体环氧树脂的总重量的重量比可为0.280或更大、或者0.300至0.600。用于半导体的粘合膜的厚度可为1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可为1μm或更本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体的粘合膜，在110℃的温度和5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室温下在5％至10％伸长率下产生的模量为50MPa或更高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.29 KR 10-2015-00606901.一种用于半导体的粘合膜，在110℃的温度和5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室温下在5％至10％伸长率下产生的模量为50MPa或更高。2.根据权利要求1所述的用于半导体的粘合膜，其中所述粘合膜用作管芯粘附膜(DAF)以用于连接引线框或基板与管芯或者连接管芯与管芯。3.根据权利要求1所述的用于半导体的粘合膜，其中所述用于半导体的粘合膜包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。4.根据权利要求3所述的用于半导体的粘合膜，其中所述固体环氧树脂和所述液体环氧树脂的总含量相对所述热塑性树脂的重量比为1.6至2.6。5.根据权利要求3所述的用于半导体的粘合膜，其中所述酚树脂相对所述热塑性树脂、所述酚树脂和所述液体环氧树脂的总重量的重量比为0.280或更大。6.一种用于半导体的粘合膜，在110℃的温度和5rad/s的剪切速率下的熔体粘度为1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室温下的伸长率为500％或更低。7.根据权利要求6所述的用于半导体的粘合膜，其中所述粘合膜用作管芯粘附膜(DAF)以用于连接引线框或基板与管芯或者连接管芯与管芯。8.根据权利要求6所述的用于半导体的粘合膜，其中所述用于半导体的粘合膜包含玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、液体环氧树脂、和固体环氧树脂。9.根据权利要求8所述的用于半导体的粘合膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：金熹正，金塞拉，金丁鹤，南承希，曹正镐，李光珠，金荣国，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR