薄膜电容器制造方法、集成电路安装基板及配备有该基板的半导体装置制造方法及图纸

公开了一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：第一电极形成步骤(图3(d))，用于在形成于支撑构件(31)的表面上的介电膜(12M)上以所需图案形成薄膜电容器的第一电极层(11)；基础材料形成步骤(图3(e))，用于在介电膜(12M)和第一电极层(11)上形成电路基板的绝缘基础材料(16)，以便埋设第一电极层(11)；去除步骤，用于去除支撑构件(31)，并且暴露介电膜(12M)的在与第一电极层(11)相反侧上的表面；介电图案化步骤，用于对介电膜(12M)图案化，以便留有与第一电极层(11)重叠的介电层，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露第一电极层(11)的在介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤，用于形成薄膜电容器的第二电极层，以便与包括第一通孔的内部的介电层重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜电容器制造方法、集成电路安装基板以及配备有这种基板的半导体装置，并且更特别地涉及用于降低集成电路的电源电路中的阻抗的薄膜电容器。
技术介绍
传统上，作为上述类型的薄膜电容器的示例，已知专利文献1中公开的技术。专利文献1公开了薄膜电容器10，其为可用作中间基板的叠层电容器，并且能够通过其有效地消除能够引起电感增大的布线部分，由此能够实现较低阻抗和较宽频带。专利文献1：日本专利申请公开号2005-33195本专利技术要解决的问题然而，在传统的薄膜电容器10中，如专利文献1的图1和4中所示，例如，集成电路2和薄膜电容器10的电极14、17通过端子阵列5的端子5a、5b连接。因而，在高频区内，关注端子阵列5的端子5a、5b对电感增大的影响。另外，在专利文献1所述的专利技术中，当集成电路2的焊料连接部分6被以倒装连接至端子阵列5时，没有考虑薄膜电容器10在其上形成的电容器1(中间基板)的顶部的平整性。如根据专利文献1的技术，当在基板上制作薄膜电容器时，所得到的结构是这样的，即介电层被层压在两对或者更多对金属电极层之间。虽然为了实现更高容量，趋势是使介电层尽可能地薄，但是从降低阻抗的观点看，存在关于能够将上和下金属电极层制作地多薄的限制，因为薄化涉及阻抗的增大。因而，例如需要每层为5至10μm(微米)的厚度。这意味着以基板表面为基准在薄膜电容器部分处将产生具有最大10至20μm高度的台阶。结果，倒装连接的可靠性等降低。由于上述情况，所以存在对薄膜电容器基板以及制造该薄膜电容器基板的方法的需求，通过这种薄膜电容器基板，能够借助于薄膜电容器进一步降低电源电路的阻抗，并且确保薄膜电容器在其中形成的、基板顶部的平整性。
技术实现思路
因而，本说明提供一种制造薄膜电容器的方法，其能够确保其中形成薄膜电容器的电路基板的顶部的平整性，同时降低与薄膜电容器的布线相关联的阻抗；以及一种集成电路安装基板；和一种配备有这种基板的半导体装置。解决问题的措施本说明中公开的薄膜电容器制造方法是一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，该方法包括：介电膜形成步骤，在支撑构件的表面上形成介电膜；第一电极形成步骤，以所需图案在介电膜上形成薄膜电容器的第一电极层；基础材料形成步骤，在介电膜和第一电极层上形成电路基板的绝缘基础材料，以便埋设第一电极层；去除步骤，去除支撑构件，并且暴露介电膜的在与第一电极层相反的一侧上的表面；介电图案化步骤，对介电膜图案化，以便留有与第一电极层重叠的介电层，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露第一电极层的介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤，形成薄膜电容器的第二电极层，以便与包括第一通孔内部的介电层重叠。在这种构造中，薄膜电容器的第一电极层形成为被埋设在电路基板的绝缘基础材料中。薄膜电容器的第二电极层在电路基板的绝缘基础材料的表面之上的介电层上形成。介电层包括形成为暴露第一电极层的在介电层侧上的表面的一部分的第一通孔，并且薄膜电容器的第二电极层形成为与包括第一通孔的内部的介电层重叠。在第一通孔内形成的第二电极层被连接至第一电极层。因而，通过将在第一通孔内形成的第二电极层与其它第二电极层绝缘，能够提供用于将第一电极层连接至外部电路，诸如集成电路的外部连接部分。以这种方式，在电路基板的绝缘基础材料的表面上，能够仅由于介电层的厚度而实现在第一通孔中形成的第二电极层的上表面(第一电极层的外部连接部分的上表面)与在介电层上形成的第二电极层的上表面之间的高度差。由于与相应电极的厚度相比，介电层的厚度通常非常小，所以能够确保其中形成薄膜电容器的电路基板的顶部的平整性。另外，第一电极层的一部分(第一电极层的外部连接部分)和第二电极层被暴露在电路基板的顶部上。因而，在薄膜电容器被连接至集成电路的凸点(bump)时，薄膜电容器能够被直接地连接至凸点，不插入其它布线。因而，能够确保薄膜电容器在其中形成的电路基板的顶部的平整性，同时降低与薄膜电容器的布线相关联的电感，即阻抗。在薄膜电容器制造方法中，电路基板可以是集成电路将被安装在其上的集成电路安装基板。第二电极形成步骤可以包括形成连接至第一电极层的第一外部连接部分，第一外部连接部分被构造成被施加集成电路的一个极性的电源电压，并且被构造成当安装集成电路时将连接至集成电路。第二电极层可以包括第二外部连接部分，第二外部连接部分被构造成被施加集成电路的另一极性的电源电压，并且被构造成当安装集成电路时将连接至集成电路。第一电极形成步骤可以包括在与第二电极层的第二外部连接部分相对的位置处形成第二电极补充部分，第二电极补充部分被连接至第二电极层。介电图案化步骤可以包括通过在与第二电极补充部分相对的位置处去除介电膜而在介电层中形成第二通孔。根据这种构造，能够使第一电极层的第一外部连接部分的高度与第二电极层的第二外部连接部分的高度基本相同，由此能够使高度差基本为零。因而，当集成电路被安装在集成电路安装基板上时，能够进一步确保与集成电路和薄膜电容器的连接相关联的平整性，同时降低与薄膜电容器的布线相关联的阻抗。在薄膜电容器制造方法中，第一电极形成步骤可以包括增大第一电极层的膜厚度的第一镀覆步骤，并且第二电极形成步骤可以包括增大第二电极层的膜厚度的第二镀覆步骤。根据这种构造，通过调节薄膜电容器的第一电极层和第二电极层的厚度，能够获得薄膜电容器的第一电极和第二电极的期望电阻值。本说明中公开的集成电路安装基板可以包括：具有集成电路将被安装在其上的安装表面的绝缘基础材料；和薄膜电容器，其在绝缘基础材料的安装表面侧上形成，并且包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间形成的介电层。薄膜电容器的第一电极层可以形成为从安装表面埋设在绝缘基础材料中。介电层可以包括其中形成连接至第一电极层的第一外部连接部分的第一通孔，第一外部连接部分被构造成将被施加集成电路的一个极性的电源电压，并且被构造成在安装集成电路时连接至集成电路。薄膜电容器的第二电极层可以在介电层上形成。根据这种构造，在集成电路安装基板的安装表面上，能够仅由于介电层的厚度而实现第一电极层的暴露部分(第一电极层的第一外部连接部分)的上表面与第二电极层的上表面之间的高度差。因而，能够确保薄膜电容器在其中形成的电路基板的顶部的平整性，同时降低与薄膜电容器的布线相关联的电感，即阻抗。本文中的“安装表面”更特别地涉及如与集成电路将被直接地安装在其上的基板的表面相对而言地，集成电路将被间接地安装在其上的表面。换句话说，“安装表面”涉及在集成电路将被安装在其上的一侧上的绝缘基础材料的表面。在集成电路安装表面中，第一外部连接部分可以由构成第二电极层的金属膜制成。第二电极层可以包括第二外部连接部分，该第二外部连接部分被构造成将被施加集成电路的另一极性的电源电压，并且被构造成在安装集成电路时连接至集成电路。介电层可以包括在其中形成第二外部连接部分的第二通孔。根据这种构造，能够使第一电极层的第一外部连接部分的高度与第二电极层的第二外部连接部分的高度基本相同，由此能够使高度差基本为零。因而，当集成电路被安装在集成电路安装基板上时，能够进一步确保与集成电路和薄膜电容器的连接相关联的平整性，同时降低与薄膜电容器的布线相关联的阻抗。在集成电路安装基板中，薄膜电容器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：介电膜形成步骤：在支撑构件的表面上形成介电膜；第一电极形成步骤：以所需图案在所述介电膜上形成所述薄膜电容器第一电极层；基础材料形成步骤：在所述介电膜和所述第一电极层上形成所述电路基板的绝缘基础材料，以便埋设所述第一电极层；去除步骤：去除所述支撑构件，并且暴露所述介电膜的在与所述第一电极层相反的一侧上的表面；介电图案化步骤：对所述介电膜图案化以便留有与所述第一电极层重叠的介电膜，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露所述第一电极层的介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤：形成所述薄膜电容器的第二电极层，以便与包括所述第一通孔的内部的所述介电层重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：介电膜形成步骤：在支撑构件的表面上形成介电膜；第一电极形成步骤：以所需图案在所述介电膜上形成所述薄膜电容器第一电极层；基础材料形成步骤：在所述介电膜和所述第一电极层上形成所述电路基板的绝缘基础材料，以便埋设所述第一电极层；去除步骤：去除所述支撑构件，并且暴露所述介电膜的在与所述第一电极层相反的一侧上的表面；介电图案化步骤：对所述介电膜图案化以便留有与所述第一电极层重叠的介电膜，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露所述第一电极层的介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤：形成所述薄膜电容器的第二电极层，以便与包括所述第一通孔的内部的所述介电层重叠。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述电路基板是用以安装集成电路的集成电路安装基板；所述第二电极形成步骤包括形成连接至所述第一电极层的第一外部连接部分，所述第一外部连接部分构造成被施加所述集成电路的一个极性的电源电压，并且构造成当安装所述集成电路时连接至所述集成电路；所述第二电极层包括第二外部连接部分，所述第二外部连接部分构造成将被施加所述集成电路的另一极性的电源电压，并且构造成当安装所述集成电路时连接至所述集成电路；所述第一电极形成步骤包括在与所述第二电极层的所述第二外部连接部分相对的位置处形成第二电极补充部分，所述第二电极补充部分连接至所述第二电极层；并且所述介电图案化步骤包括通过在与所述第二电极补充部分相对的位置处去除所述介电膜而在所述介电层中形成第二通孔。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：所述第一电极形成步骤包括增大所述第一电极层的膜厚度的第一镀覆步骤；并且所述第二电极形成步骤包括增大所述第二电极层的膜厚度的第二镀覆步骤。4.一种集成电路安装基板，包括：绝缘基础材料，所述绝缘基础材料具有用以安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部笃典，
申请(专利权)人：野田士克林股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP