The invention belongs to the field of new materials and semiconductors, in particular to a low temperature solution preparation method of indium oxide transparent semiconductor film. Includes the following steps: indium salt soluble said the amount of solvent, the concentration of 0.01 configuration 0.5 mol / L indium oxide precursor solution, after 0.1 hours of the 3 magnetic stirring and ultrasonic dispersion formed clear indium oxide precursor solution transparent; indium oxide film preparation: oxygen indium precursor the solution to the formation of indium oxide coated precursor film substrate cleaned, preheating 50 150 DEG C, and then after a certain power, light annealing time and temperature, according to the thickness of films can be repeatedly coated with indium oxide precursor solution and annealing to obtain indium oxide transparent semiconductor film. The indium oxide film obtained by the invention has important application prospect in the fields of information, energy, such as transistors, memory, solar cells, etc.. The process of the invention can avoid the usual high temperature solution process, long process cycle or expensive equipment, etc. the utility model has low cost and is suitable for industrial large-scale production.
【技术实现步骤摘要】
一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法
本专利技术属于新材料及半导体领域,特别涉及一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法,氧化铟透明薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。
技术介绍
在科学技术日新月异的今天,半导体材料的发展经历了第一代以锗、硅为代表的元素半导体,第二代以砷化镓、磷化铟为代表的化合物半导体,第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽禁带半导体为代表,它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,其中的ZnO和SnO2等宽禁带半导体氧化物材料都是重要的光电子信息材料,在透明导电氧化物方面有很多的应用。透明导电氧化物(transparentconductiveoxide简称TCO)薄膜主要包括In、Sn、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。在透明导电氧化物薄膜的不同应用领域,对透明导电氧化物薄膜的性能提出了不同的要求。目前应用较多的是单掺杂的薄膜,用途有些局限,性能比较单一。每一种透明导电氧化物材料都具有各自的特性,不可能满足所有的应用要求。为了开发适合特殊用途的TCO薄膜,一些研究小组将各种TCO材料进行组合,制各出一些具有新特点的TCO薄膜。一些二元TCO材料(如ZnO、SnO2等)可以按各种比例组合、采用多种方法制成TCO薄膜,其性能与化学组分密切相关。Zn-Sn-O薄膜可以同时具有ZnO和SnO2的优点,它的化学稳定性与易刻蚀性及相关光电和结构等性质随组分的改变而改变。目前制备氧化铟薄膜的方法多种多样,主要包括气相法和液相法两大类 ...
【技术保护点】
一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1) 制备氧化铟前驱体溶液:称取可溶性的铟盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液;(2) 制备氧化铟薄膜:将氧化铟前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理,即得到氧化铟透明半导体薄膜;所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
【技术特征摘要】
1.一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)制备氧化铟前驱体溶液:称取可溶性的铟盐,量取溶剂,配置浓度为0.01-0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液,经过0.1-3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液;(2)制备氧化铟薄膜:将氧化铟前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜,进行50-150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理,即得到氧化铟透明半导体薄膜;所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。2.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法,其特征在于:所述的可溶性的铟盐为硝酸铟、氯化铟、硫酸铟或乙...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏国栋,姚书山,王素梅,
申请(专利权)人:齐鲁工业大学,
类型:发明
国别省市:山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。