【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480070899
【技术保护点】
一种半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，含有经硅烷偶联处理的无机离子捕获剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.25 JP 2013-2675871.一种半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，含有经硅烷偶联处理的无机离子捕获剂。2.如权利要求1所述的半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，所述无机离子捕获剂的平均粒径为0.6μm以下。3.如权利要求1或2所述的半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，所述无机离子捕获剂为捕获阳离子和阴离子的无机双离子捕获剂。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，所述无机离子捕获剂的含量为1～30重量％。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，设将在175℃热固化5小时后的重量2.5g的半导体装置用树脂薄膜浸渍在含有10ppm铜离子的水溶液50ml中、并在120℃放置20小时后的所述水溶液中的铜离子浓度(ppm)为Y时，由下式(2)计算的铜离子捕获率B为10％以上，式(2)：[(10-Y)/10]×100(％)。6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，三隅贞仁，大西谦司，菅生悠树，宍户雄一郎，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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