薄膜电容器构造及具备该薄膜电容器构造的半导体装置制造方法及图纸

薄膜电容器构造(50)与在电极垫面(2S)呈面阵状地配置有多个电极垫(3G、3P、3S)的面阵式集成电路(2)的电极垫面(2S)接合。薄膜电容器构造(50)具备薄膜电容器(10)、第一绝缘膜(21)、第二绝缘膜(22)及多个贯通孔(30P、30G、30S)，薄膜电容器(10)包括第一薄板电极(11)、第二薄板电极(13)及形成于第一薄板电极(11)与第二薄板电极(12)之间的薄膜电介质层(12)。多个贯通孔(30P、30G、30S)从第一绝缘膜(21)经由薄膜电容器(10)贯通到第二绝缘膜(22)，形成于与多个电极垫(3G、3P、3S)对应的位置。

Film capacitor structure and semiconductor device with the film capacitor structure

The film capacitor structure (50) is connected with the electrode pad surface (2S) of the array integrated circuit (2) which is arranged with a plurality of electrode pads (3G, 3P, 3S) in a plane array form on the electrode pad surface (2S). The film capacitor structure (50) is provided with a film capacitor (10), a first insulating film (21), a second insulating film (22) and a plurality of through holes (30p, 30g, 30s). The film capacitor (10) comprises a first sheet electrode (11), a second sheet electrode (13) and a thin film dielectric layer (12) formed between the first sheet electrode (11) and the second sheet electrode (12). A plurality of through holes (30p, 30g, 30s) are penetrated from the first insulating film (21) to the second insulating film (22) through the film capacitor (10), and formed at a position corresponding to a plurality of electrode pads (3G, 3P, 3S).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器构造及具备该薄膜电容器构造的半导体装置
本专利技术涉及薄膜电容器构造及具备该薄膜电容器构造的半导体装置，详细地说，涉及用于降低面阵式集成电路的电源电路中的阻抗的薄膜电容器的构造。
技术介绍
以往，作为这种薄膜电容器，例如已知在专利文献1中公开的技术。在专利文献1中公开了如下的薄膜电容器10：在能够作为中间基板使用的层叠式电容器中，能够有效地排除成为电感增加的原因的引线部，进而能够实现低阻抗化及宽带宽化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-33195号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，在上述的以往薄膜电容器10中，虽然能够形成与面阵式集成电路2对应的薄膜电容器，但如专利文献1的图1及图4等所示，集成电路2和薄膜电容器10的各电极14、17经由形成于薄膜电容器10的上部的端子阵列5的端子5a、5b连接。因此，需要在薄膜电容器10的上部形成端子阵列5。另外，担心在高频区域中，端子阵列5的端子5a、5b导致电感的增加。因此，本说明书中，提供能够使薄膜电容器与集成电路的连接结构简化并且能够降低薄膜电容器的布线的阻抗的电容器构造及具备该电容器构造的半导体装置。用于解决技术问题的技术方案由本说明书公开的薄膜电容器构造是与在电极垫面呈面阵状地配置有多个电极垫的面阵式集成电路的所述电极垫面接合的薄膜电容器构造，所述多个电极垫包括电源垫、接地垫及信号垫，该薄膜电容器构造具备：薄膜电容器，包括第一薄板电极、第二薄板电极及形成于所述第一薄板电极与所述第二薄板电极之间的薄膜电介质层；第一绝缘膜，将所述第一薄板电极绝缘；第二绝缘膜，将所述第二薄板电极绝缘；及多个贯通孔，从所述第一绝缘膜经由所述薄膜电容器贯通到所述第二绝缘膜，形成在与所述多个电极垫对应的位置，包括形成于与所述电源垫对应的位置的电源用贯通孔、形成于与所述接地垫对应的位置的接地用贯通孔及形成于与所述信号垫对应的位置的信号用贯通孔。根据本结构，设置有多个贯通孔，该多个贯通孔从第一绝缘膜经由薄膜电容器贯通到第二绝缘膜，并形成于与多个电极垫对应的位置。因此，在将薄膜电容器与面阵式集成电路接合时，通过向该多个贯通孔填充铜膏等导电构件直至到达电极垫为止，由此能够将薄膜电容器与面阵式集成电路接合。由此，不需要在薄膜电容器的上部形成端子阵列，也不需要在面阵式集成电路的电极垫上形成连接凸起。另外，能够以大致最短距离将薄膜电容器与面阵式集成电路的电极垫面结合。其结果，能够简化薄膜电容器与集成电路的连接结构，并且能够降低薄膜电容器的布线的阻抗。在上述薄膜电容器构造中，也可以是，所述第一薄板电极包括：第一伸出部，伸出到所述接地用贯通孔内；第一开口部，形成于与所述电源垫及所述信号垫对应的位置；及接地垫用开口部，形成于与所述接地垫对应的位置，具有在周边形成所述第一伸出部的平面形状，所述第二薄板电极包括：第二伸出部，伸出到所述电源用贯通孔内；第二开口部，形成于与所述接地垫及所述信号垫对应的位置；及电源垫用开口部，形成于与所述电源垫对应的位置，具有在周边形成所述第二伸出部的平面形状。根据本结构，在多个贯通孔填充铜膏等导电构件到电极垫时，因第一伸出部及第二伸出部使导电构件与第一薄板电极及第二薄板电极的接合面积增加。由此，能够使导电构件与第一薄板电极及第二薄板电极更牢固地接合，由此提高导电构件与各薄板电极接合的可靠性。另外，能够由各开口部形成电源用贯通孔、接地用贯通孔及信号用贯通孔。另外，能够由接地垫用开口部以简单的结构形成第一伸出部，能够由电源垫用开口部以简单的结构形成第二伸出部。另外，在上述薄膜电容器构造中，也可以是，所述薄膜电介质层包括电介质开口部，该电介质开口部形成于与所述多个电极垫对应的位置，具有比所述第一开口部及所述第二开口部的开口面积小的开口面积，所述第一绝缘膜包括形成于与所述多个电极垫对应的位置的第一绝缘膜开口部，所述第二绝缘膜包括形成于与所述多个电极垫对应的位置的第二绝缘膜开口部，所述电源用贯通孔由第一绝缘膜开口部、所述电介质开口部、所述电源垫用开口部及所述第二绝缘膜开口部构成，所述接地用贯通孔由第一绝缘膜开口部、所述接地垫用开口部及所述第二绝缘膜开口部构成，所述信号用贯通孔由第一绝缘膜开口部、所述电介质开口部及所述第二绝缘膜开口部构成。根据本结构，能够将第一薄板电极的一部分及第二薄板电极的一部分绝缘，且能够由各开口部形成电源用贯通孔、接地用贯通孔及信号用贯通孔。另外，在上述薄膜电容器构造中，也可以是，所述第一开口部、所述第二开口部及所述电介质开口部在俯视下具有正方形的形状，所述电源垫用开口部及所述接地垫用开口部在俯视下具有十字状的形状。根据本结构，由于能够使用于形成各开口部的掩膜的形状简单，所以能够简单地形成各开口部。另外，由本说明书公开的半导体装置具备：面阵式集成电路；上述任意所述的薄膜电容器构造，贴附于所述面阵式集成电路的电极垫面；及导电材料，填充在所述电源用贯通孔、所述接地用贯通孔及所述信号用贯通孔中直至到达所述多个电极垫位置为止。根据本结构，能够使薄膜电容器与面阵式集成电路的连接结构简化，并且能够降低薄膜电容器的布线的阻抗。在上述半导体装置中，可以在所述导电材料的所述电极垫侧的相反侧设置有外部连接用的连接垫。根据本结构，例如能够通过在连接垫形成焊锡微小凸起，构筑具备薄膜电容器的面阵式半导体装置，能够使半导体装置与外部电路连接。另外，在上述半导体装置中可以具备中间基板，该中间基板设置于所述薄膜电容器构造的所述电极垫面侧的相反侧，在与所述多个电极垫对应的位置具有多个中间基板垫。根据本结构，能够通过在中间基板设置再布线层，变更面阵式集成电路的电极垫间距。由此，能够使半导体装置连接于与集成电路的电极间距不同的电极间距的外部电路基板，例如主板。专利技术的效果根据本专利技术，能够简化薄膜电容器和集成电路的连接结构，并且能够降低薄膜电容器的布线的阻抗。附图说明图1是示出实施方式的半导体装置的概略剖视图。图2是示出半导体装置的电极垫面的俯视图。图3是薄膜电容器的接地电极的局部俯视图。图4是薄膜电容器的薄膜电介质层的局部俯视图图5是薄膜电容器的电源电极的局部俯视图。图6是薄膜电容器的局部俯视图。图7是图6的局部放大图。图8是薄膜电容器构造接合于LSI芯片的状态的剖视图。图9是示出半导体装置(薄膜电容器构造)的制造方法的概略局部剖视图。图10是示出半导体装置(薄膜电容器构造)的制造方法的概略局部剖视图图11是示出半导体装置的制造方法的概略局部剖视图。图12是示出另外的例子的接地垫用开口部的概略俯视图。图13是示出另外的例子的接地垫用开口部的概略俯视图。图14是示出另外的例子的半导体装置的概略局部剖视图。图15是示出图14的半导体装置的制造方法的局部剖视图。图16是示出图14的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜电容器构造，是与在电极垫面呈面阵状地配置有多个电极垫的面阵式集成电路的所述电极垫面接合的薄膜电容器构造，所述多个电极垫包括电源垫、接地垫及信号垫，/n该薄膜电容器构造具备：/n薄膜电容器，包括第一薄板电极、第二薄板电极及形成于所述第一薄板电极与所述第二薄板电极之间的薄膜电介质层；/n第一绝缘膜，将所述第一薄板电极绝缘；/n第二绝缘膜，将所述第二薄板电极绝缘；及/n多个贯通孔，从所述第一绝缘膜经由所述薄膜电容器贯通到所述第二绝缘膜，形成在与所述多个电极垫对应的位置，包括形成于与所述电源垫对应的位置的电源用贯通孔、形成于与所述接地垫对应的位置的接地用贯通孔及形成于与所述信号垫对应的位置的信号用贯通孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器构造，是与在电极垫面呈面阵状地配置有多个电极垫的面阵式集成电路的所述电极垫面接合的薄膜电容器构造，所述多个电极垫包括电源垫、接地垫及信号垫，
该薄膜电容器构造具备：
薄膜电容器，包括第一薄板电极、第二薄板电极及形成于所述第一薄板电极与所述第二薄板电极之间的薄膜电介质层；
第一绝缘膜，将所述第一薄板电极绝缘；
第二绝缘膜，将所述第二薄板电极绝缘；及
多个贯通孔，从所述第一绝缘膜经由所述薄膜电容器贯通到所述第二绝缘膜，形成在与所述多个电极垫对应的位置，包括形成于与所述电源垫对应的位置的电源用贯通孔、形成于与所述接地垫对应的位置的接地用贯通孔及形成于与所述信号垫对应的位置的信号用贯通孔。


2.根据权利要求1所述的薄膜电容器构造，其中，
所述第一薄板电极包括：
第一伸出部，伸出到所述接地用贯通孔内；
第一开口部，形成于与所述电源垫及所述信号垫对应的位置；及
接地垫用开口部，形成于与所述接地垫对应的位置，具有在周边形成所述第一伸出部的平面形状，
所述第二薄板电极包括：
第二伸出部，伸出到所述电源用贯通孔内；
第二开口部，形成于与所述接地垫及所述信号垫对应的位置；及
电源垫用开口部，形成于与所述电源垫对应的位置，具有在周边形成所述第二伸出部的平面形状。


3.根据权利要求2所述的薄膜电容器构造，其中，
所述薄膜电介质层包括电介质开口部，该电介质开口部形成于与所述多个电极垫对应的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山田成圣，
申请(专利权)人：野田士克林股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP