透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述透明导电薄膜包括层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层，所述透明无机绝缘层的折射率小于1.5。本发明专利技术的技术方案能够降低触控屏的反射率，降低触控电极的电阻，提高触控屏的电学效果，改善显示装置的视觉效果。

Transparent conductive film, substrate, touch screen, method for producing the same, and display device

The invention provides a transparent conductive film, a substrate, a touch screen, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. Wherein, the transparent conductive film comprises a transparent inorganic insulating layer, a metal layer and a transparent metal oxide conducting layer arranged in series, wherein the refractive index of the transparent inorganic insulating layer is less than 1.5. The technical proposal of the invention can reduce the reflectivity of the touch screen, reduce the resistance of the touch electrode, improve the electrical effect of the touch screen, and improve the visual effect of the display device.

【技术实现步骤摘要】
透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有技术中，一般采用氧化铟锡来制作触摸屏的触控电极，氧化铟锡具有良好的光学和电学综合性能，但是相比于金属材料，氧化铟锡的阻抗依然偏高，这样导致触控屏的电学效果有待改善。并且由于氧化铟锡的可见光反射率比较高(约为11％)，大于玻璃基板的可见光反射率(约为4％)，这样在显示屏上贴合外挂式触控屏组成触控显示装置后，触控显示装置的反射率会比较大，视觉效果较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置，能够降低触控屏的反射率，降低触控电极的电阻，提高触控屏的电学效果，改善显示装置的视觉效果。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层，其中，所述透明无机绝缘层的折射率小于1.5。进一步地，所述透明无机绝缘层为采用二氧化硅或氟化镁；所述金属层为铜、金或银；或所述金属层为采用铜、金或银的金属合金；所述透明金属氧化物导电层为采用氧化铟锡或氧化铟锌。进一步地，在所述透明导电薄膜包括依次层叠的二氧化硅层、铜层和氧化铟锡层时，所述二氧化硅层的厚度小于100nm，所述铜层的厚度为1-10nm，所述氧化铟锡层的厚度为30nm-200nm。进一步地，所述二氧化硅层的厚度为60nm，所述铜层的厚度为5nm，所述氧化铟锡层的厚度为90nm。本专利技术实施例还提供了一种基板，包括形成在衬底基板上的多个信号传输线，所述信号传输线采用如上所述的透明导电薄膜制成。本专利技术实施例还提供了一种触控屏，所述触控屏的触控电极采用如上所述的透明导电薄膜制成。进一步地，所述触控屏的触控电极架桥和/或信号传输线采用所述透明导电薄膜制成。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的触控屏。本专利技术实施例还提供了一种触控屏的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成黑矩阵；在所述衬底基板上形成触控电极架桥和信号传输线；在形成有所述触控电极架桥和所述信号传输线的衬底基板上利用如上所述的透明导电薄膜形成触控电极。进一步地，形成所述触控电极架桥和信号传输线具体为：在所述衬底基板上利用所述透明导电薄膜形成所述触控电极架桥和/或所述信号传输线。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，透明导电薄膜由层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层组成，使得透明导电薄膜反射率较低且导电性能不弱于金属，利用该透明导电薄膜制作触控屏的触控电极，既不会影响透过率，又能降低触控电极的电阻率，提高触控屏的电学效果，并且还能够降低触控屏的反射率，进而改善采用触控屏的显示装置的视觉效果。附图说明图1为本专利技术实施例透明导电薄膜的结构示意图；图2为铜层的反射率以及铜层+二氧化硅层的反射率的示意图；图3为氧化铟锡层的反射率、铜层+氧化铟锡层的反射率以及氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的反射率的示意图；图4为氧化铟锡层的光透过率以及氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的光透过率的示意图；图5为现有触控屏的结构示意图；图6为本专利技术实施例触控屏的结构示意图。附图标记1衬底基板2氧化铟锡层3铜层4二氧化硅层5黑矩阵6信号传输线7触控电极架桥100衬底基板101黑矩阵102消影层103T发射电极103R接收电极104第一平坦层105触控信号传输线106第二平坦层S1铜层的反射率曲线S2铜层+二氧化硅层的反射率曲线S3铜层+氧化铟锡层的反射率曲线S4氧化铟锡层的反射率曲线S5氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的反射率曲线S6氧化铟锡层的光透过率曲线S7氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的光透过率曲线具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中触控屏的电学效果有待改善，并且触控显示装置的反射率比较大，视觉效果较差的问题，提供一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置，能够降低触控屏的反射率，降低触控电极的电阻，提高触控屏的电学效果，改善显示装置的视觉效果。实施例一本实施例提供一种透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层，其中，所述透明无机绝缘层的折射率小于1.5。本实施例中，透明导电薄膜由层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层组成，采用该种结构能够使得透明导电薄膜反射率较低且导电性能不弱于金属，利用该透明导电薄膜制作触控屏的触控电极，既不会影响透过率，又能降低触控电极的电阻率，提高触控屏的电学效果，并且还能够降低触控屏的反射率，进而改善采用触控屏的显示装置的视觉效果。具体实施例中，由于二氧化硅和氟化镁的折射率较低，因此，透明无机绝缘层可以采用二氧化硅或氟化镁；由于铜、金和银的导电性能良好，金属层可以采用铜、金或银；透明金属氧化物导电层可以采用氧化铟锡或氧化铟锌。当然，金属层还可以采用包含铜、金或银的金属合金，比如Cu/Ni合金等。具体实施例中，透明无机绝缘层采用二氧化硅，金属层采用铜，透明金属氧化物导电层采用氧化铟锡，通过选择各层的厚度，能够实现反射率较低且导电性能不弱于铜的透明导电薄膜。具体地，如图1所示，透明导电薄膜形成在衬底基板1上，透明导电薄膜包括氧化铟锡层2、铜层3和二氧化硅层4。具体实施例中，在透明导电薄膜包括依次层叠的二氧化硅层、铜层和氧化铟锡层时，二氧化硅层的厚度小于100nm，铜层的厚度为1-10nm，氧化铟锡层的厚度为30nm-200nm。在各层采用上述厚度参数时，能够实现反射率较低且导电性能不弱于铜的透明导电薄膜。优选实施例中，二氧化硅层的厚度为60nm，铜层的厚度为5nm，氧化铟锡层的厚度为90nm。当然，对于其他厚度的氧化铟锡层，可以通过调节金属层的厚度和低折射率材料的厚度来实现透明导电薄膜的低反射率。如图2所示为铜层的反射率以及铜层+二氧化硅层的反射率的示意图，其中S1为铜层的反射率曲线，S2为铜层+二氧化硅层的反射率曲线，铜层的厚度为5nm，二氧化硅层的厚度为60nm，可以看出，铜层+二氧化硅层的组合结构的反射率小于铜层的反射率。如图3所示为氧化铟锡层的反射率、铜层+氧化铟锡层的反射率以及氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的反射率的示意图，其中，S3为铜层+氧化铟锡层的反射率曲线，S4为氧化铟锡层的反射率曲线，S5为氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的反射率曲线，铜层的厚度为5nm，二氧化硅层的厚度为60nm，氧化铟锡层的厚度为90nm，可以看出氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层组成的透明导电薄膜的反射率比较低(对可见光波段的反射率约为3％)。综上，本实施例的透明导电薄膜反射率较低，并且导电性能不弱于铜，利用该透明导电薄膜制作触控屏的触控电极，能够降低触控电极的电阻率，降低触控屏的反射率，进而改善采用触控屏的显示装置的视觉效果。如图4所示为氧化铟锡层的光透过率以及氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的光透过率的示意图，其中S6为氧化铟锡层的光透过率曲线，S7为氧化铟锡层+铜层+二氧化硅层的光透过率曲线，铜层的厚度为5nm，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层，其中，所述透明无机绝缘层的折射率小于1.5。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括层叠设置的透明无机绝缘层、金属层和透明金属氧化物导电层，其中，所述透明无机绝缘层的折射率小于1.5。2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明无机绝缘层为采用二氧化硅或氟化镁；所述金属层为铜、金或银；或所述金属层为采用包括铜、金或银的金属合金；所述透明金属氧化物导电层为采用氧化铟锡或氧化铟锌。3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，在所述透明导电薄膜包括依次层叠的二氧化硅层、铜层和氧化铟锡层时，所述二氧化硅层的厚度小于100nm，所述铜层的厚度为1-10nm，所述氧化铟锡层的厚度为30nm-200nm。4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为60nm，所述铜层的厚度为5nm，所述氧化铟锡层的厚度为90nm。5.一种基板，包括形成在衬底基板上的多个信号传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐佳伟，李保然，李必生，张雷，郭总杰，王准，王庆浦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11