薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备技术

本发明专利技术提供的薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备，其包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。本发明专利技术提供的薄膜厚度的控制方法，其可以在线检测薄膜厚度，从而不仅可以在薄膜厚度未达到工艺要求时及时地调整工艺配方，以使各个被加工工件的薄膜厚度均能够满足工艺要求，而且还可以降低人力和使用成本、提高设备的使用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子加工
，具体地，涉及一种薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)作为一种薄膜沉积技术,主要用于各种功能薄膜的沉积，并被广泛应用于集成电路、太阳能电池、LED、平板显示等的半导体领域。在生产应用的过程中，一般通过调节沉积时间来控制沉积薄膜的厚度，但是，由于薄膜的沉积速率会在工艺过程中随着靶材的消耗而发生变化，这使得在使用同一工艺配方的条件下，对不同晶片沉积的薄膜厚度不同，从而造成工艺的重复性较低。为此，现有的一种物理气相沉积工艺是采用下述薄膜厚度的控制方法来使各个晶片的薄膜厚度均能够满足工艺要求，即:定期检测薄膜厚度，并根据检测结果适当地调整工艺配方，以使在进行后续的沉积工艺时，获得的薄膜厚度能够满足工艺要求。具体地，预先根据经验设定检测薄膜厚度的周期(通常为每间隔24小时或者48小时进行一次检测)；在检测时，首先在一片测试片上沉积薄膜，并在完成沉积之后检测该薄膜的厚度；然后，计算检测获得的薄膜厚度与目标厚度(即，满足工艺要求的理想薄膜厚度)的差值，并根据该差值调整工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜厚度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：边国栋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11