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本发明提供的薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备，其包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。