TM结构晶圆半切测试方法技术

本发明专利技术提供一种TM结构晶圆半切测试方法，包括以下步骤：S30：将TM结构晶圆贴到膜上，划片机按照预设参数对已贴膜的TM结构晶圆表面进行半切；S50：将所述TM结构晶圆从所述膜上取下并放置在探针台上进行设置对位及探针测试；S70：当所述探针测试通过时，将所述TM结构晶圆贴膜封装、全切划片、捡片包装；当所述探针测试失败时，返回步骤S30。本发明专利技术避免了贴膜偏位导致整片无法测试的风险，从而降低了产品报废率；避免了全切方式下的贴膜收缩扩张导致焊垫之间的位置偏移下的扎针偏位的情况，从而提高了产品良率；不会导致捡片工序的难捡片问题。综上所述，本发明专利技术具有操作简便、提高产品合格率等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装测试
，尤其涉及一种TM结构晶圆半切测试方法。
技术介绍
近年来，半导体集成电路在成本降低和前道晶圆制造工艺的提升的共同促进下，实现了同样功能的半导体器件的单体芯片尺寸越来越小的目标，便产生出一种新的Package 封装形式 WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging)，即晶圆级芯片规模封装，该封装方式不同于传统的芯片封装方式:先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积；此种技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP封装方式的特性优点，一方面是有效地缩减封装体积，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而且符合行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，由于电路布线的线路短且厚，故可有效增加数据传输的频宽、减少电流耗损，且对散热问题助益极大，更提升了数据传输的速度与稳定性。目前已有多种工艺的WLCSP产品，主要工艺种类包括！Marking面裸晶、Marking面带背胶、球面刷胶等，球面刷胶工艺通常又称为TM结构或Cas1工艺，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S30：将TM结构晶圆贴到膜上，划片机按照预设参数对已贴膜的TM结构晶圆表面进行半切；S50：将所述TM结构晶圆从所述膜上取下并放置在探针台上进行设置对位及探针测试；S70：当所述探针测试通过时，将所述TM结构晶圆贴膜封装、全切划片、捡片包装；当所述探针测试失败时，返回步骤S30。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王建镖，张健，仲伟宏，王超，黄飞飞，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32