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一种薄膜平面化的半导体工艺，在现有的利用石墨烯薄膜来制作半导体工艺中，常常会遇到薄膜受损严重的情况。本发明将光刻与溅射工艺相结合，并利用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma，ICP)，来保证石墨烯薄膜和...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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