【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
集成电路为因应电子产品小型化的需求，其各元件的尺寸以及元件之间的距离不断縮小。然而，元件并不能无止境的缩减，其在缩减的过程中也会因为衍生的问题而受到限制。以集成电路中最基本的晶体管来说，其通常是通过栅极的长度(gate length)的缩减来达到缩小其尺寸大小的目的。但是，有一些元件在进行操作时必须提供足够的电压(voltage level)。因此，元件所能缩减尺寸(栅极的长度)的能力受到相当大的限制。
技术实现思路
本专利技术提供ー种包角晶体管，其可以缩减元件的尺寸，而且可以提升元件效能。本专利技术提供一种包角晶体管的制造方法，其可以通过简单的エ艺，来缩减元件的尺寸，并可以提升元件效能。本专利技术提出一种包角晶体管的制造方法，包括在衬底中形成两个隔离结构，定义出有源区。之后，进行处理工艺，使有源区的衬底两边具有尖角。接着，于有源区的衬底的表面上覆盖栅介电层。然后，于栅介电层上形成栅极导体层。于栅极导体层两侧的衬底中形成源极区以及漏极区。依照本专利技术ー实施例所述，上述处理工艺使有源区的衬底的表面...
【技术保护点】
一种包角晶体管的制造方法，包括：在一衬底中形成一隔离结构，以定义出一有源区；进行一处理工艺，使该有源区的该衬底两边具有尖角；于该有源区的该衬底的表面覆盖一栅介电层；于该栅介电层上形成一栅极导体层；以及。于该栅极导体层两侧的该衬底中形成一源极区以及一漏极区。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴铁将，江昱德，丁裕伟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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