【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优先权数据本专利文献主张2014年10月13日申请的标题为“具有高密度存储电容器的晶体管的制造(FABRICATIONOFTRANSISTORWITHHIGHDENSITYSTORAGECAPACITOR)”的美国专利申请案第14/512,948号(代理人案号QUALP253/144819)的优先权,所述申请案主张2014年5月29日申请的标题为“具有高密度存储电容器的晶体管的制造(FABRICATIONOFTRANSISTORWITHHIGHDENSITYSTORAGECAPACITOR)”的美国临时专利申请案第62/004,590号(代理人案号QUALP253P/144819P1)的优先权权益,所述申请案中的每一者特此出于所有目以全文引用的方式并入。
本专利技术涉及电荷存储和传送元件,且更特定来说,涉及机电系统和装置中晶体管结构和存储电容器的制造。
技术介绍
机电系统(EMS)包含具有电气和机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜和光学薄膜)以及电子元件的装置。EMS装置或元件可以多种尺度来制造,包含(但不限于)微尺度和纳米尺度。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包含具有范围为约一微米到数百微米或更大的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(包含(例如)小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻和/或蚀刻掉衬底和/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电气和机电装置的其它微机械加工工艺来产生机电元件。一类型的EMS装置被称为干涉式调制器(IMOD)。术语IMOD或干涉式光调制器是指使用光学干涉的原理选择性 ...
【技术保护点】
一种设备,其包括:衬底,其具有第一区和邻近于所述第一区的第二区;薄膜晶体管TFT,其在所述衬底的所述第一区上,所述TFT包含:第一金属层,其在所述衬底上,半导体层,其在所述第一金属层上方,所述半导体层具有在源极区与漏极区之间的沟道区,第一蚀刻终止层,其在所述半导体层上,第二蚀刻终止层,其在所述第一蚀刻终止层上,和第二金属层,其接触所述半导体层的所述源极区和所述漏极区;和存储电容器,其在所述衬底的所述第二区上,所述存储电容器包含:所述第一金属层,其在所述衬底上,所述第二蚀刻终止层,其在所述衬底的所述第二区上方的所述第一金属层上,和所述第二金属层,其在所述衬底的所述第二区上方的所述第二蚀刻终止层上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.29 US 62/004,590;2014.10.13 US 14/512,9481.一种设备,其包括:衬底,其具有第一区和邻近于所述第一区的第二区;薄膜晶体管TFT,其在所述衬底的所述第一区上,所述TFT包含:第一金属层,其在所述衬底上,半导体层,其在所述第一金属层上方,所述半导体层具有在源极区与漏极区之间的沟道区,第一蚀刻终止层,其在所述半导体层上,第二蚀刻终止层,其在所述第一蚀刻终止层上,和第二金属层,其接触所述半导体层的所述源极区和所述漏极区;和存储电容器,其在所述衬底的所述第二区上,所述存储电容器包含:所述第一金属层,其在所述衬底上,所述第二蚀刻终止层,其在所述衬底的所述第二区上方的所述第一金属层上,和所述第二金属层,其在所述衬底的所述第二区上方的所述第二蚀刻终止层上。2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:电介质层,其在所述衬底的所述第一区上方的所述第一金属层与所述半导体层之间,其中所述电介质层和所述第一蚀刻终止层中的每一者包含二氧化硅。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一蚀刻终止层和所述第二蚀刻终止层中的每一者包含二氧化硅。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述半导体层包含氧化铟镓锌InGaZnO。5.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底包含玻璃。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其进一步包括:机电系统EMS显示元件,其中所述衬底为在所述EMS显示元件上方的缓冲层。7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其中所述第二蚀刻终止层具有小于约100纳米的厚度。8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其进一步包括:一或多个第一开口,其延伸穿过所述第一蚀刻终止层到所述衬底的所述第二区上的所述第一金属层;和一或多个第二开口,其延伸穿过所述第一蚀刻终止层和所述第二蚀刻终止层到所述半导体层的所述源极区和所述漏极区。9.根据权利要求8所述的设备,其中所述第二金属层基本上填充所述一或多个第一开口和所述一或多个第二开口。10.根据权利要求8所述的设备,其中所述第二蚀刻终止层沿延伸穿过所述第一蚀刻终止层的所述一或多个第一开口的侧壁而保形。11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其中所述第二金属层接触在所述源极区处的所述半导体层并经配置以输出输出信号以驱动EMS显示元件。12.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其中所述第二金属层接触在所述漏极区处的所述半导体层且经配置以接收输入信号,其中所述输入信号引起电荷沿在所述衬底的所述第二区上方的所述第二蚀刻终止层上的所述第二金属层积累。13.一种设备,其包括:衬底,其具有第一区和邻近于所述第一区的第二区;薄膜晶体管TFT,其在所述衬底的所述第一区上,所述TFT包含:第一金属层,其在所述衬底上,电介质层,其在所述第一金属层上,半导体层,其在所述电介质层上,和蚀刻终止层,其在所述半导体层上;和存储电容器,其在所述衬底的所述第二区上,所述存储电容器包含:所述第一金属层,其在所述衬底上,所述电介质层,其在所述第一金属层上,所述半导体层,其在所述电介质层上,在所述衬底的所述第二部分上方的所述半导体层具有暴露区和未暴露区,所述蚀刻终止层,其在所述半导体层的所述未暴露区上,和第二金属层,其在所述半导体层的所述暴露区上。14.根据权利要求13所述的设备,其中所述电介质层和所述蚀刻终止层中的每一者包含二氧化硅。15.根据权利要求13所述的设备,其中所述半导体层包含氧化铟镓锌InGaZnO。16.根据权利要求13所述的设备,其中所述衬底包含玻璃。17.根据权利要求13到16中任一权利要求所述的设备,其进一步包括:机电系统EMS显示元件,其中所述衬底为在所述EMS显示元件上方的缓冲层。18.根据权利要求13到16中任一权利要求所述的设...
【专利技术属性】
技术研发人员:金天弘,冯子青,徐在亨,塔利斯·扬·张,
申请(专利权)人:追踪有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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