【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例一般地涉及显示
，并且具体地，涉及能够提高显示面板的分辨率的TFT阵列基板及其制造方法、包括该TFT阵列基板的显示装置。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板广泛地应用于显示器的显示面板中，特别是低温多晶硅阵列基板拥有高迁移率的优点，并且反应速度快，是近年来逐渐被看好的一种用在显示面板中的阵列基板，在高分辨率、高画质的有机电致发光显示和液晶显示面板上被越来越多地采用。在高分辨率的显示面板中，需要多个很小尺寸的薄膜晶体管，对薄膜晶体管阵列基板的工艺实现、电学性能、可靠性的要求更高。特别是现有的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板应用于有机电致发光二极管显示技术中时，其驱动薄膜晶体管一般需要较长的沟道，从而会占用较大的基板面积，对高分辨的设计是一个限制。图1为现有的一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，包含基板1、有源层2、栅极绝缘层3、栅极层4、中间绝缘层5、穿透中间绝缘层及栅极绝缘层的过孔、源和漏电极层6和7、平坦化层8和像素电极层9。实现这种现有的阵列基板至少需要用于形成有源层、栅极层、过孔、源和漏电极层、平坦化层和像素电极层的六道掩膜版。在高分辨率的阵列基板制备过程中，沟道长度是一个关键因素，特别是对有机电致发光二极管显示器件中的驱动薄膜晶体管来说，其沟道长度2L可达几十微米，将占用较大的面积，不利于高分辨的实现。...
【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括：衬底基板；和位于衬底基板上的两个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括具有源区和漏区的有源层，这两个薄膜晶体管的两个有源层在垂直于衬底基板的方向上相互叠置，且这两个有源层中的一个有源层的漏区与另一个有源层的源区电连接，使得这两个薄膜晶体管串联连接。
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括：
衬底基板；和
位于衬底基板上的两个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括具有源区
和漏区的有源层，这两个薄膜晶体管的两个有源层在垂直于衬底基板的
方向上相互叠置，且这两个有源层中的一个有源层的漏区与另一个有源
层的源区电连接，使得这两个薄膜晶体管串联连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其中，所述两个有源层
包括形成在衬底基板上的第一有源层和位于第一有源层上方的第二有源
层，
所述两个薄膜晶体管还包括至少位于第一有源层和第二有源层之间
的覆盖在第一有源层上的第一栅极绝缘层、覆盖在第一栅极绝缘层上的
第二栅极绝缘层、和一个栅极，该栅极位于第一栅极绝缘层和第二栅极
绝缘层之间以用作这两个薄膜晶体管的公共栅极，且第二有源层设置在
第二栅极绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其中，该TFT阵列基板
设置有贯穿第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层以露出第一有源层的漏区
的通孔，并且第二有源层包括位于该通孔内以电连接第一有源层的漏区
和第二有源层的源区的连接部分。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其中，
一个薄膜晶体管包括位于衬底基板上的第一栅极、覆盖在第一栅极
上的第一栅极绝缘层和位于第一栅极绝缘层上的第一有源层，
另一个薄膜晶体管包括位于第一有源层上方的第二有源层、覆盖第
二有源层的第二栅极绝缘层和位于第二栅极绝缘层上的第二栅极，并且
第二有源层的源区与第一有源层的漏区电连接。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，还包括覆盖在所述一个
\t薄膜晶体管上的层间绝缘层，其中第二有源层位于层间绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其中，该TFT阵列基板
设置有贯穿层间绝缘层以露出第一有源层的漏区的通孔，并且第二有源
层包括位于该通孔内以电连接第一有源层的漏区和第二有源层的源区的
连接部分。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的TFT阵列基板，还包括与第
一有源层的源区电连接的源电极层和与第二有源层的漏区电连接的像素
电极层。
8.根据权利要求3或6所述的TFT阵列基板，其中所述连接部分包
括由与第二有源层相同的材料形成并掺杂的部分。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的TFT阵列基板，所述有源层包
括低温多晶硅层。
10.一种制造TFT阵列基板的方法，包括下述步骤：
提供衬底基板；以及
在衬底基板上形成两个薄膜晶体管，使得这两个薄膜晶体管的两个
有源层在垂直于衬底基板的方向上相互叠置，每个薄膜晶体管包括具有
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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