一种阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括：柔性基板、薄膜晶体管、第一金属层、第二金属层、堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，其中，所述薄膜晶体管包括：源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极，所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层，且所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口，以解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，柔性显示面板得到越来越广泛的应用。现有技术中的柔性显示面板通常包括柔性基板以及位于柔性基板一侧的缓冲层等无机层、TFT和发光元件，其中，在所述柔性显示面板发生弯折时，所述无机层也会随之发生弯折，从而产生应力缺陷，影响TFT和发光元件的正常工作。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以解决所述显示面板在发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题。为解决上述问题，本技术实施例提供了如下技术方案：一种阵列基板，其特征在于，包括：柔性基板；位于所述柔性基板第一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极；第一金属层，所述第一金属层包括与所述栅极电连接的栅极线；第二金属层，所述第二金属层位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基板的一侧，所述第二金属层包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极或所述漏极电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素，所述数据线用于为所述显示像素提供数据信号；位于所述柔性基板第一侧且覆盖所述柔性基板第一侧表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层；其中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口。一种柔性显示面板，包括：上述阵列基板。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：本技术实施例所提供的阵列基板中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口，以在所述阵列基板发生弯折时，减少所述堆叠结构中的应力积累，并通过所述开口释放部分应力，从而解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题；且所述堆叠结构完全覆盖所述柔性基板的第一侧表面，即所述柔性基板表面任一位置均有所述堆叠结构覆盖，不存在裸露区域，以利用所述堆叠结构对外界环境中的水氧进行隔离，避免外界环境中的水氧进入包括该阵列基板的显示面板的显示区，导致显示面板无法正常显示。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图2为本技术一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图3为本技术另一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图4为本技术又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图5为本技术再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图6为本技术又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图7为本技术再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图8为本技术又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图9为本技术一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；图10为本技术另一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；图11为本技术又一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；图12为本技术再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图13为本技术又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；图14为本技术另一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图15为本技术又一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图16为本技术再一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图17为本技术又一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图18为本技术再一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图19为本技术一个实施例所提供的柔性显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。本技术实施例提供了一种阵列基板，如图1和图2所示，图1为本技术一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图2为图1沿AB方向的剖视图，需要说明的是，由于图1的俯视图中无法显示图2所示剖视图中的第一金属层和第二金属层等层结构，只能显示第一金属层和第二金属层中所包括的电极线，故图1中用所述第一金属层的标号30标注在了其所包括的栅极线处，第二金属层的标号40标注在了其所包括的数据线处。具体的，该阵列基板包括：柔性基板10；位于所述柔性基板10第一侧的薄膜晶体管20，所述薄膜晶体管20包括：源极s、漏极d、沟道以及与所述源极s、所述沟道和所述漏极d均绝缘的栅极g，其中，所述沟道位于所述源极s和所述漏极d之间；第一金属层30，所述第一金属层30包括与所述栅极g电连接的栅极线；第二金属层40，所述第二金属层40位于所述薄膜晶体管20远离所述柔性基板10的一侧，所述第二金属层40包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极s或所述漏极d电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素50，所述数据线用于为所述显示像素50提供数据信号；位于所述柔性基板10第一侧且覆盖所述柔性基板10第一侧表面的堆叠结构70，所述堆叠结构70包括多层无机层；所述多层无机层包括：位于所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间的一层或多层缓冲层71、位于所述沟道区与所述栅极g之间的一层或多层绝缘层72、位于所述薄膜晶体管20和所述第二金属层40之间的第一隔离层73；其中，所述缓冲层71用于隔离所述基板10和所述薄膜晶体管20，对所述薄膜晶体管进行保护，所述栅绝缘层72用于电绝缘所述沟道与所述栅极，所述第一隔离层73用于电绝缘所述第一金属层30与所述第二金属层40，且所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区60的位置具有多个开口80。需要说明的是，虽然图1和图2所示的阵列基板中，所述数据线与所述源极s电连接，所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间具有一层缓冲层71，所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道之间具有一层栅绝缘层72，但本技术对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述数据线也可以与所述漏极d电连接，所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间也可以具有多层缓冲层71，所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道之间也可以具有多层栅绝缘层72，具体视情况而定。本技术实施例所提供的阵列基板中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区60的位置具有多个开口80，以在所述阵列基板发生弯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：柔性基板；位于所述柔性基板第一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极；第一金属层，所述第一金属层包括与所述栅极电连接的栅极线；第二金属层，所述第二金属层位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基板的一侧，所述第二金属层包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极或所述漏极电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素，所述数据线用于为所述显示像素提供数据信号；位于所述柔性基板第一侧且覆盖所述柔性基板第一侧表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层；其中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：柔性基板；位于所述柔性基板第一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极；第一金属层，所述第一金属层包括与所述栅极电连接的栅极线；第二金属层，所述第二金属层位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基板的一侧，所述第二金属层包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极或所述漏极电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素，所述数据线用于为所述显示像素提供数据信号；位于所述柔性基板第一侧且覆盖所述柔性基板第一侧表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层；其中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口贯穿所述无机层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一层所述缓冲层具有开口，所述缓冲层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一层所述栅绝缘层具有开口，所述栅绝缘层的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一层所述第一隔离层具有开口；所述第一金属层与所述第二金属层在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上具有第一交叠区域；所述第一隔离层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第一交叠区域在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层背离所述第一隔离层一侧设置有覆盖所述第二金属层的一层或多层钝化层；至少一层所述钝化层具有开口；所述钝化层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第二金属层的所述多条金属线在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二隔离层，所述第二隔离层位于所述栅极和所述第一隔离层之间；电容金属层，所述电容金属层位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷伶俐，世良贤二，陈海晶，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31