薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明专利技术的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板具有第一栅极绝缘层和设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层。本发明专利技术的栅电极形成在第一栅极绝缘层的开口中，第一栅极绝缘层具有与栅电极的高度相同的高度。因此，形成在栅电极和第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层提供没有台阶的平坦表面。这可以减少或消除由栅电极周围的台阶造成的诸如源电极裂纹和/或漏电极裂纹的任何缺陷。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种薄膜晶体管阵列面板和一种用于制造该薄膜晶体管阵列面板的方法。
技术介绍
通常，薄膜晶体管(TFT)在诸如液晶显示器或有机发光显示器等的平板显示器中用作独立地驱动每个像素的开关元件。薄膜晶体管阵列面板可以包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极、向薄膜晶体管传输栅极信号的栅极线和向薄膜晶体管传输数据信号的数据线等。薄膜晶体管包括连接到栅极线以接收栅极信号的栅电极、形成在栅电极上的半导体层、形成在半导体层上且连接到数据线以接收数据信号的源电极以及被形成为与源电极分开且连接到像素电极的漏电极。在这种情况下，栅极线、栅电极、数据线、源电极和漏电极等可以由金属布线形成。为了提高分辨率，已经进行了可以提高薄膜晶体管阵列面板上每单位面积的像素集成度的研究，并且为了高速处理图像信号，已经展开了关于使用电子迁移率高的氧化物半导体或电阻更低的铜布线的研究。在这种情况下，为了通过使用低电阻铜布线实现高分辨率显示器，可以形成厚的铜布线。在这种情况下，一旦形成了厚的铜布线，则包括可形成在铜布线上的源电极和漏电极的其他金属布线可因为可能由铜布线的厚度导致的台阶而断开。这会导致其他布线的裂纹。在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术的背景的理解，因此以上信息可能包含不构成对于本领域普通技术人员而言在该国家已经知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板和一种防止形成在低电阻布线上的其他布线断开的制造薄膜晶体管阵列面板的方法。附加方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地将通过本公开而明了，或者可以通过本专利技术构思的实践而获知。根据示例性实施例，薄膜晶体管阵列面板包括：第一栅极绝缘层，设置在基底上并包括暴露基底的一部分的栅极开口；栅电极，设置在栅极开口中；第二栅极绝缘层，设置在第一栅极绝缘层和栅电极上；半导体层，形成在第二栅极绝缘层上；源电极和漏电极，被设置为在半导体层上彼此分开；钝化层，设置在第二栅极绝缘层、源电极和漏电极上；以及像素电极，设置在钝化层上并连接到漏电极，其中，栅电极具有呈倒锥形状的侧面。栅电极可以由铜制成。栅电极可以具有1μm或更大的厚度。第二栅极绝缘层可以具有平坦的上表面。第一栅极绝缘层和栅电极可以具有相同的厚度。第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层可以由相同的材料制成。栅电极的上表面可以位于第一栅极绝缘层的上表面之上或下方。根据示例性实施例，用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括以下步骤：在基底上形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层中形成暴露基底的一部分的栅极开口；在栅极开口中形成栅电极；在第一栅极绝缘层和栅电极上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成彼此分开的源电极和漏电极；在第二栅极绝缘层、源电极和漏电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成连接到漏电极的像素电极。形成栅极开口的步骤可以包括以下步骤：在第一栅极绝缘层上顺序地形成第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层；通过对第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层进行曝光和显影，在第一抗蚀剂层中形成第一抗蚀剂开口并在第二抗蚀剂层中形成第二抗蚀剂开口；以及利用第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层作为掩模来蚀刻第一栅极绝缘层。第一抗蚀剂开口可以暴露第一栅极绝缘层的一部分，并可以形成在第二抗蚀剂开口下方。第一抗蚀剂开口可以比第二抗蚀剂开口宽。第一抗蚀剂层可以不具有光敏性而可以具有对显影剂的可溶性，第二抗蚀剂层可以具有光敏性并可以具有对显影剂的可溶性。形成栅电极的步骤可以包括以下步骤：在第二抗蚀剂层和由栅极开口暴露的基底上形成栅极金属层；以及通过剥离工艺去除第一抗蚀剂层、第二抗蚀剂层和形成在第二抗蚀剂层上的栅极金属层。形成栅极开口的步骤可以包括以下步骤：在第一栅极绝缘层上形成包括第三抗蚀剂开口的第三抗蚀剂层；以及利用第三抗蚀剂层作为掩模来蚀刻第一栅极绝缘层。形成栅电极的步骤可以包括以下步骤：去除第三抗蚀剂层；在第一栅极绝缘层和由栅极开口暴露的基底上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成第四抗蚀剂层，其中，第四抗蚀剂层形成在与栅极开口对应的部分中；利用第四抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻栅极金属层；以及去除第四抗蚀剂层和形成在栅极开口上的栅极金属层。根据传统方法，首先在基底上形成铜布线，然后在基底上突出的铜布线上形成绝缘层。这造成取决于铜布线的厚度的台阶，该台阶在形成在绝缘层上的其他布线中造成裂纹。然而，根据本专利技术的实施例，在基底上形成具有与栅电极的厚度相同的厚度的第一栅极绝缘层，然后在第一栅极绝缘层中形成其中设置栅电极的栅极开口。因此，即使形成厚的栅电极，因为第一栅极绝缘层的厚度可以与栅电极的厚度相同，所以栅电极和第一栅极绝缘层两者的上表面也可以是平坦的而没有台阶。因此，由于栅电极和第一栅极绝缘层的其上可以形成其他布线的上表面是平坦的，所以能够防止包括源电极和漏电极的其他布线因台阶而断开。前面的总体描述和后面的详细描述是示例性的和解释性的，旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。附图说明附图示出了本专利技术构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理，包括附图以提供对本专利技术构思的进一步理解，附图并入本说明书并构成本说明书的一部分。图1是根据本专利技术的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图2是沿着针对图1的薄膜晶体管阵列面板的线Ⅱ-Ⅱ截取的剖视图。图3至图8是示意性示出根据本专利技术的示例性实施例的用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法的示图。图9至图11是示意性示出根据本专利技术的另一示例性实施例的用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法的示图。图12是示意性示出根据本专利技术的另一示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图13是示意性示出根据本专利技术的又一示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。具体实施方式在下面的描述中，出于解释的目的，阐述许多特定细节以提供对各种示例性实施例的透彻理解。然而，明了的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者使用一个或更多个等同布置来实践各种示例性实施例。在其他示例中，以框图形式示出公知的结构和器件，以避免不必要地使各种示例性实施例晦涩难懂。在附图中，出于清楚和描述性的目的，可能夸大层、膜、面板、区域等的大小和相对大小。另外，同样的附图标记指示同样的元件。当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：第一栅极绝缘层，设置在基底上并包括暴露所述基底的一部分的栅极开口；栅电极，设置在所述栅极开口中；第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层和所述栅电极上；半导体层，形成在所述第二栅极绝缘层上；源电极和漏电极，被设置为在所述半导体层上彼此分开；钝化层，设置在所述第二栅极绝缘层、所述源电极和所述漏电极上；以及像素电极，设置在所述钝化层上并连接到所述漏电极，其中，所述栅电极具有呈倒锥形状的侧面。

【技术特征摘要】
2014.11.26 KR 10-2014-01664411.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：
第一栅极绝缘层，设置在基底上并包括暴露所述基底的一部分的栅极开
口；
栅电极，设置在所述栅极开口中；
第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层和所述栅电极上；
半导体层，形成在所述第二栅极绝缘层上；
源电极和漏电极，被设置为在所述半导体层上彼此分开；
钝化层，设置在所述第二栅极绝缘层、所述源电极和所述漏电极上；以
及
像素电极，设置在所述钝化层上并连接到所述漏电极，
其中，所述栅电极具有呈倒锥形状的侧面。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述栅电
极由铜制成。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述栅电
极具有1μm或更大的厚度。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第二
栅极绝缘层具有平坦的上表面。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一
栅极绝缘层和所述栅电极具有相同的厚度。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一
栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层由相同的材料制成。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述栅电
极具有定位成比所述第一栅极绝缘层的上表面高或低的上表面。
8.一种用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层中形成暴露所述基底的一部分的栅极开口；
在所述栅极开口中形成栅电极；
在所述第一栅极绝缘层和所述栅电极上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成彼此分开的源电极和漏电极；
在所述第二栅极绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层；以及
在所述钝化层上形成连接到所述漏电极的像素电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成栅极开口的步骤还包
括以下步骤：
在所述第一栅极绝缘层上形成第一抗蚀剂层；
在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层；
对所述第一抗蚀剂层和所述第二抗蚀剂层进行曝光和显影，以在...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪泌荀，朴贵铉，周振豪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR